半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
8期
604-608
,共5页
纵向双扩散金属氧讹物半导体%静电损伤防护%多晶硅齐纳二极管%开启电压%人体静电放电模型
縱嚮雙擴散金屬氧訛物半導體%靜電損傷防護%多晶硅齊納二極管%開啟電壓%人體靜電放電模型
종향쌍확산금속양와물반도체%정전손상방호%다정규제납이겁관%개계전압%인체정전방전모형
随着半导体工艺的不断发展,器件的特征尺寸在不断缩小,栅氧化层也越来越薄,使得器件受到静电放电破坏的概率大大增加.为此,设计了一种用于保护功率器件栅氧化层的多晶硅背靠背齐纳二极管ESD防护结构.多晶硅背靠背齐纳二极管通过在栅氧化层上的多晶硅中不同区域进行不同掺杂实现.该结构与现有功率VDMOS制造工艺完全兼容,具有很强的鲁棒性.由于多晶硅与体硅分开,消除了衬底耦合噪声和寄生效应等,从而有效减小了漏电流.经流片测试验证,该ESD防护结构的HBM防护级别达8 kV以上.
隨著半導體工藝的不斷髮展,器件的特徵呎吋在不斷縮小,柵氧化層也越來越薄,使得器件受到靜電放電破壞的概率大大增加.為此,設計瞭一種用于保護功率器件柵氧化層的多晶硅揹靠揹齊納二極管ESD防護結構.多晶硅揹靠揹齊納二極管通過在柵氧化層上的多晶硅中不同區域進行不同摻雜實現.該結構與現有功率VDMOS製造工藝完全兼容,具有很彊的魯棒性.由于多晶硅與體硅分開,消除瞭襯底耦閤譟聲和寄生效應等,從而有效減小瞭漏電流.經流片測試驗證,該ESD防護結構的HBM防護級彆達8 kV以上.
수착반도체공예적불단발전,기건적특정척촌재불단축소,책양화층야월래월박,사득기건수도정전방전파배적개솔대대증가.위차,설계료일충용우보호공솔기건책양화층적다정규배고배제납이겁관ESD방호결구.다정규배고배제납이겁관통과재책양화층상적다정규중불동구역진행불동참잡실현.해결구여현유공솔VDMOS제조공예완전겸용,구유흔강적로봉성.유우다정규여체규분개,소제료츤저우합조성화기생효응등,종이유효감소료루전류.경류편측시험증,해ESD방호결구적HBM방호급별체8 kV이상.
