材料科学与工程
材料科學與工程
재료과학여공정
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING
2000年
z2期
633-636
,共4页
张生俊%崔贲涛%王波%严辉%陈光华
張生俊%崔賁濤%王波%嚴輝%陳光華
장생준%최분도%왕파%엄휘%진광화
电子回旋共振%cBN%薄膜
電子迴鏇共振%cBN%薄膜
전자회선공진%cBN%박막
cBN薄膜的CVD制备是一个很受关注的课题.本文研究了ECR-CVD系统的等离子体特性,并在Si(100)衬底上进行了BN薄膜的生长实验,初步获得了cBN含量约为23.8%的BN薄膜;分析了H2在CVD生长cBN中的影响.
cBN薄膜的CVD製備是一箇很受關註的課題.本文研究瞭ECR-CVD繫統的等離子體特性,併在Si(100)襯底上進行瞭BN薄膜的生長實驗,初步穫得瞭cBN含量約為23.8%的BN薄膜;分析瞭H2在CVD生長cBN中的影響.
cBN박막적CVD제비시일개흔수관주적과제.본문연구료ECR-CVD계통적등리자체특성,병재Si(100)츤저상진행료BN박막적생장실험,초보획득료cBN함량약위23.8%적BN박막;분석료H2재CVD생장cBN중적영향.
