半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
6期
687-690
,共4页
姜永睿%胡雄伟%杨沁清%王红杰%杨澜%谢二庆
薑永睿%鬍雄偉%楊沁清%王紅傑%楊瀾%謝二慶
강영예%호웅위%양심청%왕홍걸%양란%사이경
光敏性溶胶-凝胶%SiO2薄膜%折射率%波导
光敏性溶膠-凝膠%SiO2薄膜%摺射率%波導
광민성용효-응효%SiO2박막%절사솔%파도
采用有机改性硅酸盐制备了光敏性溶胶-凝胶,并应用四丙氧基锆作为调节折射率的材料.为了增加薄膜与硅片的粘附作用,先用干氧热氧化法在硅片上生长一层厚度约为150nm的SiO2,然后使用提拉法在硅片上提拉成膜,薄膜厚度达到3.6μm.研究发现紫外曝光时间和坚膜时的后烘温度都会使薄膜的折射率增大.样品的原子力显微镜照片表明薄膜的表面非常平整,在5μm×5μm的范围内表面起伏只有0.657nm.利用波导阵列掩膜版,对制备的薄膜在紫外光波段下曝光,得到了表面平坦、侧墙光滑、陡直的沟道波导阵列.
採用有機改性硅痠鹽製備瞭光敏性溶膠-凝膠,併應用四丙氧基鋯作為調節摺射率的材料.為瞭增加薄膜與硅片的粘附作用,先用榦氧熱氧化法在硅片上生長一層厚度約為150nm的SiO2,然後使用提拉法在硅片上提拉成膜,薄膜厚度達到3.6μm.研究髮現紫外曝光時間和堅膜時的後烘溫度都會使薄膜的摺射率增大.樣品的原子力顯微鏡照片錶明薄膜的錶麵非常平整,在5μm×5μm的範圍內錶麵起伏隻有0.657nm.利用波導陣列掩膜版,對製備的薄膜在紫外光波段下曝光,得到瞭錶麵平坦、側牆光滑、陡直的溝道波導陣列.
채용유궤개성규산염제비료광민성용효-응효,병응용사병양기고작위조절절사솔적재료.위료증가박막여규편적점부작용,선용간양열양화법재규편상생장일층후도약위150nm적SiO2,연후사용제랍법재규편상제랍성막,박막후도체도3.6μm.연구발현자외폭광시간화견막시적후홍온도도회사박막적절사솔증대.양품적원자력현미경조편표명박막적표면비상평정,재5μm×5μm적범위내표면기복지유0.657nm.이용파도진렬엄막판,대제비적박막재자외광파단하폭광,득도료표면평탄、측장광활、두직적구도파도진렬.
