微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
6期
802-805
,共4页
王浩娟%吴霜毅%宁宁%于奇%王向展%范龙
王浩娟%吳霜毅%寧寧%于奇%王嚮展%範龍
왕호연%오상의%저저%우기%왕향전%범룡
采样/保持电路%非线性%衬底偏置效应
採樣/保持電路%非線性%襯底偏置效應
채양/보지전로%비선성%츤저편치효응
提出了一种两倍增益高线性、高速、高精度采样/保持电路.该采样/保持电路通过对输入信号实现两倍放大,改善了高频非线性失真;一种新型的消除衬底偏置效应的采样开关,有效地提高了采样的线性度;高增益和宽带宽的折叠共源共栅运算放大器保证了采样/保持电路的精度和速度.整个电路以0.35 μm AMS Si CMOS模型库验证.模拟结果显示,在输入信号为49.21875 MHz正弦波,采样频率为100 MHz时,增益误差为70.9 μV,SFDR可达到84.5 dB.
提齣瞭一種兩倍增益高線性、高速、高精度採樣/保持電路.該採樣/保持電路通過對輸入信號實現兩倍放大,改善瞭高頻非線性失真;一種新型的消除襯底偏置效應的採樣開關,有效地提高瞭採樣的線性度;高增益和寬帶寬的摺疊共源共柵運算放大器保證瞭採樣/保持電路的精度和速度.整箇電路以0.35 μm AMS Si CMOS模型庫驗證.模擬結果顯示,在輸入信號為49.21875 MHz正絃波,採樣頻率為100 MHz時,增益誤差為70.9 μV,SFDR可達到84.5 dB.
제출료일충량배증익고선성、고속、고정도채양/보지전로.해채양/보지전로통과대수입신호실현량배방대,개선료고빈비선성실진;일충신형적소제츤저편치효응적채양개관,유효지제고료채양적선성도;고증익화관대관적절첩공원공책운산방대기보증료채양/보지전로적정도화속도.정개전로이0.35 μm AMS Si CMOS모형고험증.모의결과현시,재수입신호위49.21875 MHz정현파,채양빈솔위100 MHz시,증익오차위70.9 μV,SFDR가체도84.5 dB.
