半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
4期
328-332
,共5页
刘锋%毛陆虹%韩焕鹏%王义猛%李丹%何秀坤
劉鋒%毛陸虹%韓煥鵬%王義猛%李丹%何秀坤
류봉%모륙홍%한환붕%왕의맹%리단%하수곤
锗硅单晶%锗的质量分数%单晶生长%直拉法%位错密度
鍺硅單晶%鍺的質量分數%單晶生長%直拉法%位錯密度
타규단정%타적질량분수%단정생장%직랍법%위착밀도
通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度.采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150 mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%～12.92%、φ为50～60mm的SiGe单晶.可应用于X射线单色器、探测空间γ射线的透镜及热电器件,还可用作部分光电器件和量子阱器件SiGe同质外延生长的衬底.
通過改進SiGe單晶生長熱場和Ar氣流動方式,併採用閤適的生長速度,優化調整SiGe單晶生長控製工藝參數,有效控製瞭SiGe單晶的位錯密度.採用直拉(CZ法)在國產TDR-62Si單晶爐上,採用150 mm密閉式熱繫統,生長齣瞭Ge質量分數為9.79%～12.92%、φ為50～60mm的SiGe單晶.可應用于X射線單色器、探測空間γ射線的透鏡及熱電器件,還可用作部分光電器件和量子阱器件SiGe同質外延生長的襯底.
통과개진SiGe단정생장열장화Ar기류동방식,병채용합괄적생장속도,우화조정SiGe단정생장공제공예삼수,유효공제료SiGe단정적위착밀도.채용직랍(CZ법)재국산TDR-62Si단정로상,채용150 mm밀폐식열계통,생장출료Ge질량분수위9.79%～12.92%、φ위50～60mm적SiGe단정.가응용우X사선단색기、탐측공간γ사선적투경급열전기건,환가용작부분광전기건화양자정기건SiGe동질외연생장적츤저.
