微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2009年
3期
376-379
,共4页
带隙基准源%曲率补偿%电源抑制
帶隙基準源%麯率補償%電源抑製
대극기준원%곡솔보상%전원억제
提出了一种新颖的分段线性补偿带隙基准,该补偿技术通过巧妙地运用带隙输出电压与三极管开启电压VBE的关系来实现.电路设计中,考虑了基准电压的电源抑制特性、线性调整率、电路的稳定性、功耗、芯片面积等各方面的因素,使得该电路很适合工程应用.全电路由BiCMOS工艺实现,并通过HSPICE仿真.结果表明,基准输出电压约1.169 V,有效温度系数仅为2.1×10-6/℃;室温下,电源抑制比为63 dB@1 kHz,功耗70μW(3 V电源).
提齣瞭一種新穎的分段線性補償帶隙基準,該補償技術通過巧妙地運用帶隙輸齣電壓與三極管開啟電壓VBE的關繫來實現.電路設計中,攷慮瞭基準電壓的電源抑製特性、線性調整率、電路的穩定性、功耗、芯片麵積等各方麵的因素,使得該電路很適閤工程應用.全電路由BiCMOS工藝實現,併通過HSPICE倣真.結果錶明,基準輸齣電壓約1.169 V,有效溫度繫數僅為2.1×10-6/℃;室溫下,電源抑製比為63 dB@1 kHz,功耗70μW(3 V電源).
제출료일충신영적분단선성보상대극기준,해보상기술통과교묘지운용대극수출전압여삼겁관개계전압VBE적관계래실현.전로설계중,고필료기준전압적전원억제특성、선성조정솔、전로적은정성、공모、심편면적등각방면적인소,사득해전로흔괄합공정응용.전전로유BiCMOS공예실현,병통과HSPICE방진.결과표명,기준수출전압약1.169 V,유효온도계수부위2.1×10-6/℃;실온하,전원억제비위63 dB@1 kHz,공모70μW(3 V전원).
