半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
5期
852-856
,共5页
陈勇%赵建明%韩德栋%康晋锋%韩汝琦
陳勇%趙建明%韓德棟%康晉鋒%韓汝琦
진용%조건명%한덕동%강진봉%한여기
高介电常数栅介质%等效氧化层厚度%二氧化铪
高介電常數柵介質%等效氧化層厚度%二氧化鉿
고개전상수책개질%등효양화층후도%이양화협
分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进行修正,得出HfO2高k栅介质的准确C-V特性.其次,给出了一种利用平带电容提取高k介质EOT的方法,该方法能克服量子效应所产生的反型层或积累层电容的影响.采用该两步法提取的HfO2高k栅介质EOT与包含量子修正的Poisson方程数值模拟结果对比,误差小于5%,验证了该方法的正确性.
分兩步提取瞭HfO2高k柵介質等效氧化層厚度(EOT).首先,根據MIS測試結構等效電路,採用雙頻C-V特性測試技術對漏電流和襯底電阻的影響進行脩正,得齣HfO2高k柵介質的準確C-V特性.其次,給齣瞭一種利用平帶電容提取高k介質EOT的方法,該方法能剋服量子效應所產生的反型層或積纍層電容的影響.採用該兩步法提取的HfO2高k柵介質EOT與包含量子脩正的Poisson方程數值模擬結果對比,誤差小于5%,驗證瞭該方法的正確性.
분량보제취료HfO2고k책개질등효양화층후도(EOT).수선,근거MIS측시결구등효전로,채용쌍빈C-V특성측시기술대루전류화츤저전조적영향진행수정,득출HfO2고k책개질적준학C-V특성.기차,급출료일충이용평대전용제취고k개질EOT적방법,해방법능극복양자효응소산생적반형층혹적루층전용적영향.채용해량보법제취적HfO2고k책개질EOT여포함양자수정적Poisson방정수치모의결과대비,오차소우5%,험증료해방법적정학성.
