红外技术
紅外技術
홍외기술
INFRARED TECHNOLOGY
2011年
4期
190-194
,共5页
余连杰%史衍丽%邓功荣%李雄军%杨丽丽%何雯瑾
餘連傑%史衍麗%鄧功榮%李雄軍%楊麗麗%何雯瑾
여련걸%사연려%산공영%리웅군%양려려%하문근
非晶态碲化汞%光电导%暗电导%热激活%热淬灭
非晶態碲化汞%光電導%暗電導%熱激活%熱淬滅
비정태제화홍%광전도%암전도%열격활%열쉬멸
利用射频磁控溅射方法在宝石衬底上制备了非晶态碲化汞(HgTe)薄膜材料,以He-Ne激光器(hv=1.96eV,λ=632.8nm)作为激励光源,在80~300K温度范围内,研究了非晶态HgTe薄膜的暗电导σd、稳态光电导σp以及光敏性σp/σd的特性,分析了载流子的导电和复合机制.实验发现,在80~300 K温度范围内,非晶态HgTe薄膜的暗电导和稳定态光电导均具有热激活特性.暗电导存在2个温区:在低温区(80K≤T≤180K),激活能约15meV;在高温区(180K≤T≤300K),激活能约400meV.穗定态光电导则存在明显的3个温区:(1)当80K≤T≤180K时,光电导具有弱的热激活特性(激活能约20meV);(2)当180K≤T≤280K时,光电导具有强烈的热激活特性(激活能约120meV);(3)当T>280K时,光电导出现"热淬灭"效应.在温度约280K时,光电导具有最大值,而光敏性则在约180 K时具有最大值.非晶态HgTe薄膜中存在两种导电机制:定域态电导和扩展态电导,180 K两种导电机制的温度分界点.研究结果表明,非晶态HgTe薄膜很适合制备高工作温度(约180K)红外探测器.
利用射頻磁控濺射方法在寶石襯底上製備瞭非晶態碲化汞(HgTe)薄膜材料,以He-Ne激光器(hv=1.96eV,λ=632.8nm)作為激勵光源,在80~300K溫度範圍內,研究瞭非晶態HgTe薄膜的暗電導σd、穩態光電導σp以及光敏性σp/σd的特性,分析瞭載流子的導電和複閤機製.實驗髮現,在80~300 K溫度範圍內,非晶態HgTe薄膜的暗電導和穩定態光電導均具有熱激活特性.暗電導存在2箇溫區:在低溫區(80K≤T≤180K),激活能約15meV;在高溫區(180K≤T≤300K),激活能約400meV.穗定態光電導則存在明顯的3箇溫區:(1)噹80K≤T≤180K時,光電導具有弱的熱激活特性(激活能約20meV);(2)噹180K≤T≤280K時,光電導具有彊烈的熱激活特性(激活能約120meV);(3)噹T>280K時,光電導齣現"熱淬滅"效應.在溫度約280K時,光電導具有最大值,而光敏性則在約180 K時具有最大值.非晶態HgTe薄膜中存在兩種導電機製:定域態電導和擴展態電導,180 K兩種導電機製的溫度分界點.研究結果錶明,非晶態HgTe薄膜很適閤製備高工作溫度(約180K)紅外探測器.
이용사빈자공천사방법재보석츤저상제비료비정태제화홍(HgTe)박막재료,이He-Ne격광기(hv=1.96eV,λ=632.8nm)작위격려광원,재80~300K온도범위내,연구료비정태HgTe박막적암전도σd、은태광전도σp이급광민성σp/σd적특성,분석료재류자적도전화복합궤제.실험발현,재80~300 K온도범위내,비정태HgTe박막적암전도화은정태광전도균구유열격활특성.암전도존재2개온구:재저온구(80K≤T≤180K),격활능약15meV;재고온구(180K≤T≤300K),격활능약400meV.수정태광전도칙존재명현적3개온구:(1)당80K≤T≤180K시,광전도구유약적열격활특성(격활능약20meV);(2)당180K≤T≤280K시,광전도구유강렬적열격활특성(격활능약120meV);(3)당T>280K시,광전도출현"열쉬멸"효응.재온도약280K시,광전도구유최대치,이광민성칙재약180 K시구유최대치.비정태HgTe박막중존재량충도전궤제:정역태전도화확전태전도,180 K량충도전궤제적온도분계점.연구결과표명,비정태HgTe박막흔괄합제비고공작온도(약180K)홍외탐측기.