电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2011年
11期
16-18
,共3页
薄膜热电偶%灵敏度%尺寸效应%费米面
薄膜熱電偶%靈敏度%呎吋效應%費米麵
박막열전우%령민도%척촌효응%비미면
采用磁控溅射法在镀有SiO2阻挡层的基底上制备了一系列的Cu/CuNi薄膜热电偶,其厚度分别为0.5,1.0,1.5和2.0 μm,测得四种Cu/CuNi薄膜热电偶的灵敏度,分别为46.47,45.23,44.32和43.98 μV/℃,通过实验和理论研究了薄膜热电偶灵敏度S与厚度δ之间的关系.结果表明:Cu/CuNi薄膜热电偶的灵敏度高于普通Cu/CuNi热电偶；在薄膜厚度大于临界厚度的情况下,薄膜热电偶的灵敏度S随着厚度的倒数l/δ增大而升高.
採用磁控濺射法在鍍有SiO2阻擋層的基底上製備瞭一繫列的Cu/CuNi薄膜熱電偶,其厚度分彆為0.5,1.0,1.5和2.0 μm,測得四種Cu/CuNi薄膜熱電偶的靈敏度,分彆為46.47,45.23,44.32和43.98 μV/℃,通過實驗和理論研究瞭薄膜熱電偶靈敏度S與厚度δ之間的關繫.結果錶明:Cu/CuNi薄膜熱電偶的靈敏度高于普通Cu/CuNi熱電偶；在薄膜厚度大于臨界厚度的情況下,薄膜熱電偶的靈敏度S隨著厚度的倒數l/δ增大而升高.
채용자공천사법재도유SiO2조당층적기저상제비료일계렬적Cu/CuNi박막열전우,기후도분별위0.5,1.0,1.5화2.0 μm,측득사충Cu/CuNi박막열전우적령민도,분별위46.47,45.23,44.32화43.98 μV/℃,통과실험화이론연구료박막열전우령민도S여후도δ지간적관계.결과표명:Cu/CuNi박막열전우적령민도고우보통Cu/CuNi열전우；재박막후도대우림계후도적정황하,박막열전우적령민도S수착후도적도수l/δ증대이승고.
