半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
12期
1586-1590
,共5页
危书义%闫玉丽%王天兴%夏从新%汪建广
危書義%閆玉麗%王天興%夏從新%汪建廣
위서의%염옥려%왕천흥%하종신%왕건엄
稀磁半导体%电子能带计算%磁性%稳定性
稀磁半導體%電子能帶計算%磁性%穩定性
희자반도체%전자능대계산%자성%은정성
diluted magnetic semiconductor%electronic band calculation%magnetism%stability
运用第一性原理下的LMTO-ASA方法研究稀磁半导体(Ga1-xFe x )As( x ＝1,1/2,1/4和1/8)的电子结构、磁性及其稳定性.计算了Fe掺杂浓度的变化对(Ga1-xFe x )As的磁性及稳定性的影响.
運用第一性原理下的LMTO-ASA方法研究稀磁半導體(Ga1-xFe x )As( x ＝1,1/2,1/4和1/8)的電子結構、磁性及其穩定性.計算瞭Fe摻雜濃度的變化對(Ga1-xFe x )As的磁性及穩定性的影響.
운용제일성원리하적LMTO-ASA방법연구희자반도체(Ga1-xFe x )As( x ＝1,1/2,1/4화1/8)적전자결구、자성급기은정성.계산료Fe참잡농도적변화대(Ga1-xFe x )As적자성급은정성적영향.
Magnetism and the stability of (Ga1-xFe x )As are investigated using the first principles LMTO-ASA band calculation by assuming supercell structures.Four concentrations of the 3d impurities are studied ( x =1,1/2,1/4,and 1/8).The results show the effect of varying Fe concentration on the magnetic and stable properties.
