真空退火对溅射淀积ZnO:Ga透明导电膜性能的影响
진공퇴화대천사정적ZnO:Ga투명도전막성능적영향
Influence of Vacuum Annealing on Properties of ZnO:Ga Films Prepared by r.f. Magnetron Sputtering
  • 万方数据
    稀有金属材料与工程 희유금속재료여공정
    RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
    2005年 7期 1166-1168 ,共3页

    马瑾%余旭浒%计峰%王玉恒%张锡健%程传福%马洪磊

    마근%여욱호%계봉%왕옥항%장석건%정전복%마홍뢰

    磁控溅射%ZnO:Ga%真空退火 磁控濺射%ZnO:Ga%真空退火
    자공천사%ZnO:Ga%진공퇴화
    采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响.结果表明:真空退火后,薄膜结构得到明显改善,电阻率由退火前的1.13×10-3Ω·cm下降到5.4×10-4Ω·cm,在可见光区的平均透过率也由未退火前的83%提高到退火后的90%以上.
    채용사빈자공천사법재파리츤저상저온제비출료가참잡양화자(ZnO:Ga)투명도전막,연구료진공퇴화대박막결구、전학화광학특성적영향.결과표명:진공퇴화후,박막결구득도명현개선,전조솔유퇴화전적1.13×10-3Ω·cm하강도5.4×10-4Ω·cm,재가견광구적평균투과솔야유미퇴화전적83%제고도퇴화후적90%이상.
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