集成电路Cu互连线的XRD研究
집성전로Cu호련선적XRD연구
XRD Study on Cu Layer in IC Interconnect
  • 万方数据
    半导体技术 반도체기술
    SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
    2008年 11期 985-987 ,共3页

    徐赛生%曾磊%张立锋%顾晓清%张卫%汪礼康

    서새생%증뢰%장립봉%고효청%장위%왕례강

    铜互连%X射线衍射%织构系数%择优取向%添加剂 銅互連%X射線衍射%織構繫數%擇優取嚮%添加劑
    동호련%X사선연사%직구계수%택우취향%첨가제
    对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XBD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向.对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况.实验结果表明,对于在各种条件下获得的1 μm Cu镀层,均呈现(111)晶面择优,这样的镀层在集成电路Cu互连线中有较好的抗电迁移性能.
    대류산염체계중전도득도적Cu도층,사용XBD연구불동전침적조건、불동츤저화불동후도도층적직구정황화택우취향.대비료직류전도화맥충전도재유첨가제화무첨가제조건하적직구정황.실험결과표명,대우재각충조건하획득적1 μm Cu도층,균정현(111)정면택우,저양적도층재집성전로Cu호련선중유교호적항전천이성능.
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