安顺学院学报
安順學院學報
안순학원학보
JOURNAL OF ANSHUN COLLEGE
2009年
1期
90-93
,共4页
闫万珺%周士芸%桂放%邹世乾
閆萬珺%週士蕓%桂放%鄒世乾
염만군%주사예%계방%추세건
β-FeSi2%晶体结构%光电特性%光电子器件
β-FeSi2%晶體結構%光電特性%光電子器件
β-FeSi2%정체결구%광전특성%광전자기건
金属硅化物β-FeSi2是具有直接带隙特性的半导体材料,禁带宽度约0.80～0.89eV,是制作硅基光电子光源及探测器件以及太阳能电池,热电器件等最有发展前景的硅基半导体材料之一.目前.已经用多种方法在硅衬底上进行了薄膜外延生长及器件制作的尝试,并取得了一定的成功.文中就近年来β-FeSi2材料的晶体结构、能带结构、光电特性及其在光电子器件中的应用进行了综述.
金屬硅化物β-FeSi2是具有直接帶隙特性的半導體材料,禁帶寬度約0.80～0.89eV,是製作硅基光電子光源及探測器件以及太暘能電池,熱電器件等最有髮展前景的硅基半導體材料之一.目前.已經用多種方法在硅襯底上進行瞭薄膜外延生長及器件製作的嘗試,併取得瞭一定的成功.文中就近年來β-FeSi2材料的晶體結構、能帶結構、光電特性及其在光電子器件中的應用進行瞭綜述.
금속규화물β-FeSi2시구유직접대극특성적반도체재료,금대관도약0.80～0.89eV,시제작규기광전자광원급탐측기건이급태양능전지,열전기건등최유발전전경적규기반도체재료지일.목전.이경용다충방법재규츤저상진행료박막외연생장급기건제작적상시,병취득료일정적성공.문중취근년래β-FeSi2재료적정체결구、능대결구、광전특성급기재광전자기건중적응용진행료종술.
