功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2009年
3期
217-222
,共6页
王丽春%张贵锋%侯晓多%姜辛
王麗春%張貴鋒%侯曉多%薑辛
왕려춘%장귀봉%후효다%강신
多晶硅薄膜%金属铜诱导层%热丝化学气相沉积%微结构
多晶硅薄膜%金屬銅誘導層%熱絲化學氣相沉積%微結構
다정규박막%금속동유도층%열사화학기상침적%미결구
采用热丝化学气相沉积法(HWCVD),在金属铜诱导层上成功制备出横向晶粒尺寸在1μm左右、垂直晶粒尺寸达20μm的柱状多晶硅薄膜,其晶化率在95%以上.使用XRD、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)等分析测试手段研究了灯丝温度在1500～1800℃之间变化时,金属铜诱导层对多晶硅薄膜的微观形貌、结晶性及晶体学生长方向的影响规律.结果表明:金属铜诱导层的引入,在一定温度范围内改善了晶粒尺寸,改变了多晶硅薄膜的择优取向,降低了薄膜的晶化温度,提高了晶化率.
採用熱絲化學氣相沉積法(HWCVD),在金屬銅誘導層上成功製備齣橫嚮晶粒呎吋在1μm左右、垂直晶粒呎吋達20μm的柱狀多晶硅薄膜,其晶化率在95%以上.使用XRD、Raman光譜、掃描電子顯微鏡(SEM)等分析測試手段研究瞭燈絲溫度在1500～1800℃之間變化時,金屬銅誘導層對多晶硅薄膜的微觀形貌、結晶性及晶體學生長方嚮的影響規律.結果錶明:金屬銅誘導層的引入,在一定溫度範圍內改善瞭晶粒呎吋,改變瞭多晶硅薄膜的擇優取嚮,降低瞭薄膜的晶化溫度,提高瞭晶化率.
채용열사화학기상침적법(HWCVD),재금속동유도층상성공제비출횡향정립척촌재1μm좌우、수직정립척촌체20μm적주상다정규박막,기정화솔재95%이상.사용XRD、Raman광보、소묘전자현미경(SEM)등분석측시수단연구료등사온도재1500～1800℃지간변화시,금속동유도층대다정규박막적미관형모、결정성급정체학생장방향적영향규률.결과표명:금속동유도층적인입,재일정온도범위내개선료정립척촌,개변료다정규박막적택우취향,강저료박막적정화온도,제고료정화솔.
