物理实验
物理實驗
물리실험
PHYSICS EXPERIMENTATION
2003年
2期
43-47
,共5页
林俊%陈岳瑞%胡际璜%张翔九
林俊%陳嶽瑞%鬍際璜%張翔九
림준%진악서%호제황%장상구
SiGe合金%应变弛豫%边界效应%位错密度
SiGe閤金%應變弛豫%邊界效應%位錯密度
SiGe합금%응변이예%변계효응%위착밀도
Schimmel腐蚀液腐蚀结合高倍光学显微镜观察发现,不同尺寸的掩膜窗内生长的SiGe外延层中的位错密度在整个外延层中从SiGe/Si界面到SiGe外延层表面由少到多,再由多到少明显地分成3个区.无掩膜窗限制的大面积区内的SiGe层则只呈现2个区.掩膜材料与掩膜窗尺寸不同,这3个区的位错密度也不同.掩膜形成过程中产生的应力对衬底晶格的影响,以及掩膜边界对衬底与外延层的影响是造成这种不同的根本原因.
Schimmel腐蝕液腐蝕結閤高倍光學顯微鏡觀察髮現,不同呎吋的掩膜窗內生長的SiGe外延層中的位錯密度在整箇外延層中從SiGe/Si界麵到SiGe外延層錶麵由少到多,再由多到少明顯地分成3箇區.無掩膜窗限製的大麵積區內的SiGe層則隻呈現2箇區.掩膜材料與掩膜窗呎吋不同,這3箇區的位錯密度也不同.掩膜形成過程中產生的應力對襯底晶格的影響,以及掩膜邊界對襯底與外延層的影響是造成這種不同的根本原因.
Schimmel부식액부식결합고배광학현미경관찰발현,불동척촌적엄막창내생장적SiGe외연층중적위착밀도재정개외연층중종SiGe/Si계면도SiGe외연층표면유소도다,재유다도소명현지분성3개구.무엄막창한제적대면적구내적SiGe층칙지정현2개구.엄막재료여엄막창척촌불동,저3개구적위착밀도야불동.엄막형성과정중산생적응력대츤저정격적영향,이급엄막변계대츤저여외연층적영향시조성저충불동적근본원인.
