制备材料芯片的K分分形掩膜策略
제비재료심편적K분분형엄막책략
Combinatorial Synthesis Strategy for the Combination of n Elements with K Levels
  • 万方数据
    高技术通讯 고기술통신
    HIGH TECHNOLOGY LETTERS
    2004年 6期 39-42 ,共4页

    冯兰%顾明%蔡英文

    풍란%고명%채영문

    组合合成%分形%掩膜%材料芯片 組閤閤成%分形%掩膜%材料芯片
    조합합성%분형%엄막%재료심편
    研究了制备由K个水平(元素含量)的任意n种元素所组合的材料芯片的掩膜策略,即K分分形的掩膜策略,它不仅弥补了以往掩膜策略的缺陷,而且具有普遍适用性和更高的灵活性.
    연구료제비유K개수평(원소함량)적임의n충원소소조합적재료심편적엄막책략,즉K분분형적엄막책략,타불부미보료이왕엄막책략적결함,이차구유보편괄용성화경고적령활성.
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