发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2005年
4期
531-534
,共4页
朋兴平%杨扬%耿伟刚%杨映虎%王印月
朋興平%楊颺%耿偉剛%楊映虎%王印月
붕흥평%양양%경위강%양영호%왕인월
ZnO薄膜%硅衬底%光致发光%射频反应溅射
ZnO薄膜%硅襯底%光緻髮光%射頻反應濺射
ZnO박막%규츤저%광치발광%사빈반응천사
采用反应溅射法在n型硅(100)衬底上制备了ZnO薄膜,分别用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计对样品的结构、表面形貌和光致发光特性进行了表征.X射线衍射结果表明,实验中制备出了应变小的c轴择优取向的ZnO薄膜;原子力显微镜观察表明,薄膜表面平整,颗粒大小约为50 nm,为柱状结构,颗粒垂直于硅衬底表面生长;在室温光致发光(PL)谱中观察到了波长位于434 nm处的较窄的强蓝光发射峰,该蓝光峰的半峰全宽约为50 meV.对蓝光峰的发光机制进行了讨论,并推断出该蓝光峰来源于电子从Zn填隙缺陷能级向价带顶跃迁.
採用反應濺射法在n型硅(100)襯底上製備瞭ZnO薄膜,分彆用X射線衍射儀、原子力顯微鏡和熒光分光光度計對樣品的結構、錶麵形貌和光緻髮光特性進行瞭錶徵.X射線衍射結果錶明,實驗中製備齣瞭應變小的c軸擇優取嚮的ZnO薄膜;原子力顯微鏡觀察錶明,薄膜錶麵平整,顆粒大小約為50 nm,為柱狀結構,顆粒垂直于硅襯底錶麵生長;在室溫光緻髮光(PL)譜中觀察到瞭波長位于434 nm處的較窄的彊藍光髮射峰,該藍光峰的半峰全寬約為50 meV.對藍光峰的髮光機製進行瞭討論,併推斷齣該藍光峰來源于電子從Zn填隙缺陷能級嚮價帶頂躍遷.
채용반응천사법재n형규(100)츤저상제비료ZnO박막,분별용X사선연사의、원자력현미경화형광분광광도계대양품적결구、표면형모화광치발광특성진행료표정.X사선연사결과표명,실험중제비출료응변소적c축택우취향적ZnO박막;원자력현미경관찰표명,박막표면평정,과립대소약위50 nm,위주상결구,과립수직우규츤저표면생장;재실온광치발광(PL)보중관찰도료파장위우434 nm처적교착적강람광발사봉,해람광봉적반봉전관약위50 meV.대람광봉적발광궤제진행료토론,병추단출해람광봉래원우전자종Zn전극결함능급향개대정약천.
