物理学报
物理學報
물이학보
2005年
9期
4329-4333
,共5页
刘仕锋%秦国刚%尤力平%张纪才%傅竹西%戴伦
劉仕鋒%秦國剛%尤力平%張紀纔%傅竹西%戴倫
류사봉%진국강%우력평%장기재%부죽서%대륜
GaN%纳米结构%透射电子显微镜%光致荧光谱
GaN%納米結構%透射電子顯微鏡%光緻熒光譜
GaN%납미결구%투사전자현미경%광치형광보
在现有的一台蒸发镀膜机基础上,设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统.该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制等优点,有利于化合物半导体纳米材料的生长.利用该生长系统,通过在生长过程中掺入等电子杂质In作为表面活性剂,分别在Si衬底和3C-SiC/Si衬底上生长出高质量的具有纤锌矿结构的单晶GaN纳米线和纳米尖三棱锥.所得产物通过场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、能量色散x射线谱仪、x射线衍射仪,和荧光谱仪进行表征.这里所用的生长方法新颖,生长出的GaN纳米尖三棱锥在场发射和激光方面有潜在的应用价值.
在現有的一檯蒸髮鍍膜機基礎上,設計加工瞭一箇雙熱舟化學氣相沉積繫統.該繫統具有真空度高、升溫速度快、源和襯底溫度可分彆控製等優點,有利于化閤物半導體納米材料的生長.利用該生長繫統,通過在生長過程中摻入等電子雜質In作為錶麵活性劑,分彆在Si襯底和3C-SiC/Si襯底上生長齣高質量的具有纖鋅礦結構的單晶GaN納米線和納米尖三稜錐.所得產物通過場髮射掃描電子顯微鏡、高分辨透射電子顯微鏡、能量色散x射線譜儀、x射線衍射儀,和熒光譜儀進行錶徵.這裏所用的生長方法新穎,生長齣的GaN納米尖三稜錐在場髮射和激光方麵有潛在的應用價值.
재현유적일태증발도막궤기출상,설계가공료일개쌍열주화학기상침적계통.해계통구유진공도고、승온속도쾌、원화츤저온도가분별공제등우점,유리우화합물반도체납미재료적생장.이용해생장계통,통과재생장과정중참입등전자잡질In작위표면활성제,분별재Si츤저화3C-SiC/Si츤저상생장출고질량적구유섬자광결구적단정GaN납미선화납미첨삼릉추.소득산물통과장발사소묘전자현미경、고분변투사전자현미경、능량색산x사선보의、x사선연사의,화형광보의진행표정.저리소용적생장방법신영,생장출적GaN납미첨삼릉추재장발사화격광방면유잠재적응용개치.