光学学报
光學學報
광학학보
ACTA OPTICA SINICA
2006年
8期
1269-1273
,共5页
程海英%方文卿%莫春兰%刘和初%王立%江风益
程海英%方文卿%莫春蘭%劉和初%王立%江風益
정해영%방문경%막춘란%류화초%왕립%강풍익
薄膜光学%GaN%X射线衍射%Si衬底%结晶性能%δ掺杂
薄膜光學%GaN%X射線衍射%Si襯底%結晶性能%δ摻雜
박막광학%GaN%X사선연사%Si츤저%결정성능%δ참잡
用X射线衍射方法通过不同晶面的ω扫描测试,分析了Si衬底GaN蓝光LED外延膜中n-型层δ掺杂Si处理对外延膜结晶性能的影响.报道了Si衬底GaN外延膜系列晶面的半峰全宽(FWHM)值.通过使用晶格-旋转(Lattice-rotation)模型拟合,计算出样品的螺位错密度和刃位错密度.结果表明,δ掺杂Si处理后生长出的样品螺位错密度增大、刃位错密度减小,总位错密度有所减小.通过对未经δ掺杂处理和δ掺杂处理的GaN外延膜相应ω-2θ扫描半峰全宽值的比较,发现δ掺杂Si处理后生长出的样品非均匀应变较大;相应样品的LED电致发光光谱、Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示δ掺杂后样品性能变好.
用X射線衍射方法通過不同晶麵的ω掃描測試,分析瞭Si襯底GaN藍光LED外延膜中n-型層δ摻雜Si處理對外延膜結晶性能的影響.報道瞭Si襯底GaN外延膜繫列晶麵的半峰全寬(FWHM)值.通過使用晶格-鏇轉(Lattice-rotation)模型擬閤,計算齣樣品的螺位錯密度和刃位錯密度.結果錶明,δ摻雜Si處理後生長齣的樣品螺位錯密度增大、刃位錯密度減小,總位錯密度有所減小.通過對未經δ摻雜處理和δ摻雜處理的GaN外延膜相應ω-2θ掃描半峰全寬值的比較,髮現δ摻雜Si處理後生長齣的樣品非均勻應變較大;相應樣品的LED電緻髮光光譜、Ⅰ-Ⅴ特性麯線顯示δ摻雜後樣品性能變好.
용X사선연사방법통과불동정면적ω소묘측시,분석료Si츤저GaN람광LED외연막중n-형층δ참잡Si처리대외연막결정성능적영향.보도료Si츤저GaN외연막계렬정면적반봉전관(FWHM)치.통과사용정격-선전(Lattice-rotation)모형의합,계산출양품적라위착밀도화인위착밀도.결과표명,δ참잡Si처리후생장출적양품라위착밀도증대、인위착밀도감소,총위착밀도유소감소.통과대미경δ참잡처리화δ참잡처리적GaN외연막상응ω-2θ소묘반봉전관치적비교,발현δ참잡Si처리후생장출적양품비균균응변교대;상응양품적LED전치발광광보、Ⅰ-Ⅴ특성곡선현시δ참잡후양품성능변호.
