半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
2期
251-255
,共5页
UWB%正交压控振荡器%相位噪声%变容管%数控电容阵列%正交匹配性
UWB%正交壓控振盪器%相位譟聲%變容管%數控電容陣列%正交匹配性
UWB%정교압공진탕기%상위조성%변용관%수공전용진렬%정교필배성
UWB%quadrature VCO%phase noise%varactor%DCCA%quadrature performance
设计了一种应用于MB-OFDM UWB射频频率综合器的工作于4.224GHz的正交压控振荡器(QVCO),并采用0.18μm RF-CMOS工艺进行了设计实现.该Qvco通过改进结构能够得到更好的相位噪声.通过改变MOS变容管的接入方法实现了更好的压控增益线性度,并采用了新的低寄生电容、低导通电阻的数控电容阵列结构来补偿工艺变化带来的频率变化.测试结果表明,该QV-CO在4.224GHz附近的100kHz频偏处的相位噪声为-90.4dBc/Hz,1MHz频偏处的相位噪声为-116.7dBc/Hz,整个QVCO电路功耗为10.55mW,电源电压为1.8V.
設計瞭一種應用于MB-OFDM UWB射頻頻率綜閤器的工作于4.224GHz的正交壓控振盪器(QVCO),併採用0.18μm RF-CMOS工藝進行瞭設計實現.該Qvco通過改進結構能夠得到更好的相位譟聲.通過改變MOS變容管的接入方法實現瞭更好的壓控增益線性度,併採用瞭新的低寄生電容、低導通電阻的數控電容陣列結構來補償工藝變化帶來的頻率變化.測試結果錶明,該QV-CO在4.224GHz附近的100kHz頻偏處的相位譟聲為-90.4dBc/Hz,1MHz頻偏處的相位譟聲為-116.7dBc/Hz,整箇QVCO電路功耗為10.55mW,電源電壓為1.8V.
설계료일충응용우MB-OFDM UWB사빈빈솔종합기적공작우4.224GHz적정교압공진탕기(QVCO),병채용0.18μm RF-CMOS공예진행료설계실현.해Qvco통과개진결구능구득도경호적상위조성.통과개변MOS변용관적접입방법실현료경호적압공증익선성도,병채용료신적저기생전용、저도통전조적수공전용진렬결구래보상공예변화대래적빈솔변화.측시결과표명,해QV-CO재4.224GHz부근적100kHz빈편처적상위조성위-90.4dBc/Hz,1MHz빈편처적상위조성위-116.7dBc/Hz,정개QVCO전로공모위10.55mW,전원전압위1.8V.
A 4.224GHz quadrature voltage.controlled oscillator(QVCO)applied in MB-OFDM UWB synthesizers is im-plemented in 0.18μm RF-CMOS technology.An improved structure of the QVCO is presented for better phase noise.A novel configuration of a MOS varactor is designed for good linearity of Kvco,as well as a new digital capacitor controlled array topoiogy with lower parasitic capacitance and lower Ron Measurement results show a phase noise of-90.4dBc/Hz at 100kHz offset and-116.7dBc/Hz at 1MHz offset from a carrier close to 4.224GHz.The power dissipation is 10.55mW from a 1.8V supply.