物理学报
物理學報
물이학보
2008年
6期
3735-3739
,共5页
吴小丽%陈长乐%韩立安%罗炳成%高国棉%朱建华
吳小麗%陳長樂%韓立安%囉炳成%高國棉%硃建華
오소려%진장악%한립안%라병성%고국면%주건화
Mg0.05Zn0.95O薄膜%PLD%衬底温度%光致发光
Mg0.05Zn0.95O薄膜%PLD%襯底溫度%光緻髮光
Mg0.05Zn0.95O박막%PLD%츤저온도%광치발광
用脉冲激光沉积(PLD)法在不同温度的Si(111衬底上成功制备了c轴择优取向的Mg0.05Zn0.95O薄膜.通过X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)研究了衬底温度对Mg0.05Zn0.95O薄膜结构和发光特性的影响,探讨了膜的结晶质量与发光特性之间的关系.结果表明,在衬底温度为450℃时生长的Mg0.05Zn0.95O薄膜具有很好的轴取向和较强的光致发光峰.室温下分别用激发波长为240,300和325nm的氙灯作为激发光源得到不同样品的PL谱,分析表明紫外发光峰和紫峰来源于自由激子的复合辐射且发光强度与薄膜的结晶质量密切相关,蓝绿发光峰与氧空位有关.此外,探讨了衬底温度影响紫外光致发光峰红移和蓝移的可能机理.
用脈遲激光沉積(PLD)法在不同溫度的Si(111襯底上成功製備瞭c軸擇優取嚮的Mg0.05Zn0.95O薄膜.通過X射線衍射(XRD)和光緻髮光譜(PL)研究瞭襯底溫度對Mg0.05Zn0.95O薄膜結構和髮光特性的影響,探討瞭膜的結晶質量與髮光特性之間的關繫.結果錶明,在襯底溫度為450℃時生長的Mg0.05Zn0.95O薄膜具有很好的軸取嚮和較彊的光緻髮光峰.室溫下分彆用激髮波長為240,300和325nm的氙燈作為激髮光源得到不同樣品的PL譜,分析錶明紫外髮光峰和紫峰來源于自由激子的複閤輻射且髮光彊度與薄膜的結晶質量密切相關,藍綠髮光峰與氧空位有關.此外,探討瞭襯底溫度影響紫外光緻髮光峰紅移和藍移的可能機理.
용맥충격광침적(PLD)법재불동온도적Si(111츤저상성공제비료c축택우취향적Mg0.05Zn0.95O박막.통과X사선연사(XRD)화광치발광보(PL)연구료츤저온도대Mg0.05Zn0.95O박막결구화발광특성적영향,탐토료막적결정질량여발광특성지간적관계.결과표명,재츤저온도위450℃시생장적Mg0.05Zn0.95O박막구유흔호적축취향화교강적광치발광봉.실온하분별용격발파장위240,300화325nm적선등작위격발광원득도불동양품적PL보,분석표명자외발광봉화자봉래원우자유격자적복합복사차발광강도여박막적결정질량밀절상관,람록발광봉여양공위유관.차외,탐토료츤저온도영향자외광치발광봉홍이화람이적가능궤리.
