固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
2期
253-257
,共5页
易扬波%孙伟锋%宋慧滨%唐晨
易颺波%孫偉鋒%宋慧濱%唐晨
역양파%손위봉%송혜빈%당신
驱动芯片%Latch-up%少子保护环%多子保护环
驅動芯片%Latch-up%少子保護環%多子保護環
구동심편%Latch-up%소자보호배%다자보호배
详细分析了平板显示器驱动芯片中的Latch-up现象,在此基础上采用了一种克服Latch-up的方法:在低压部分增加多子保护环,在高低压之间增加少子保护环.借助TCAD软件详细研究了少子环位置及宽度对抗Latch-up效果的影响.实验结果证明,采用该方法可以有效地克服功率集成电路的Latch-up现象.
詳細分析瞭平闆顯示器驅動芯片中的Latch-up現象,在此基礎上採用瞭一種剋服Latch-up的方法:在低壓部分增加多子保護環,在高低壓之間增加少子保護環.藉助TCAD軟件詳細研究瞭少子環位置及寬度對抗Latch-up效果的影響.實驗結果證明,採用該方法可以有效地剋服功率集成電路的Latch-up現象.
상세분석료평판현시기구동심편중적Latch-up현상,재차기출상채용료일충극복Latch-up적방법:재저압부분증가다자보호배,재고저압지간증가소자보호배.차조TCAD연건상세연구료소자배위치급관도대항Latch-up효과적영향.실험결과증명,채용해방법가이유효지극복공솔집성전로적Latch-up현상.
