基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究
기우I-V특성적조변존저기적조변궤제연구
Resistive Switching Mechanisms for Nonvolatile Resistive Random Access Memory Based on I-V Characteristic
  • 万方数据
    微纳电子技术 미납전자기술
    MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
    2009年 3期 134-140,153 ,共8页

    李颖弿%刘明%龙世兵%刘琦%张森%王艳%左青云%王琴%胡媛%刘肃

    리영건%류명%룡세병%류기%장삼%왕염%좌청운%왕금%호원%류숙

    阻变存储器%非挥发性存储器%I-V特性%阻变机制%工作原理 阻變存儲器%非揮髮性存儲器%I-V特性%阻變機製%工作原理
    조변존저기%비휘발성존저기%I-V특성%조변궤제%공작원리
    随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力.但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用.通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Sehottky emission)以及普尔一法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望.
    수착기건척촌적축소,조변존저기(RRAM)구유취대현유주류Flash존저기성위하일대신형존저기적잠력.단대RRAM기건전조전변궤제적연구재인식상의연존재흔대적분기,직접제약료RRAM적연발여응용.통과개소조변존저기적기본공작원리、불동적조변궤제이급기우조변존저기소표현출적불동I-V특성,연구료기건적조변특성;상세분석료조변존저기적오충조변물리궤제,즉도전세사(filament)、공간전하한제전류효응(SCLC)、결함능급적전하부획화석방、초특기발사효응(Sehottky emission)이급보이일법란극효응(Pool-Frenkel);동시,대RRAM기건적연구발전추세이급면림적도전진행료전망.
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