沈阳工业大学学报
瀋暘工業大學學報
침양공업대학학보
JOURNAL OF SHENYANG POLYTECHNIC UNIVERSITY
2009年
3期
296-298,305
,共4页
郭连权%刘嘉慧%宋开颜%张金虎%马贺%武鹤楠%李大业
郭連權%劉嘉慧%宋開顏%張金虎%馬賀%武鶴楠%李大業
곽련권%류가혜%송개안%장금호%마하%무학남%리대업
晶体Si%半导体%能带%禁带宽度%密度泛函%第一性原理%赝势%Abinit软件
晶體Si%半導體%能帶%禁帶寬度%密度汎函%第一性原理%贗勢%Abinit軟件
정체Si%반도체%능대%금대관도%밀도범함%제일성원리%안세%Abinit연건
针对晶体Si在二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路中的应用与其能带结构密切相关的问题,采用密度泛函理论及第一性原理的赝势平面波方法,从理论上计算了晶体Si的电子能带.计算结果表明:Si的晶格常数为0.540 nm,与实验参考值相吻合;其价带宽度为11.80 eV,导带宽度为9.58 eV.该结果与其他学者用OPW方法所计算的结果相符合;价带与导带之间的禁带宽度为0.80 eV,进一步说明了Si是良好的半导体材料.
針對晶體Si在二極管、三極管、晶閘管和各種集成電路中的應用與其能帶結構密切相關的問題,採用密度汎函理論及第一性原理的贗勢平麵波方法,從理論上計算瞭晶體Si的電子能帶.計算結果錶明:Si的晶格常數為0.540 nm,與實驗參攷值相吻閤;其價帶寬度為11.80 eV,導帶寬度為9.58 eV.該結果與其他學者用OPW方法所計算的結果相符閤;價帶與導帶之間的禁帶寬度為0.80 eV,進一步說明瞭Si是良好的半導體材料.
침대정체Si재이겁관、삼겁관、정갑관화각충집성전로중적응용여기능대결구밀절상관적문제,채용밀도범함이론급제일성원리적안세평면파방법,종이론상계산료정체Si적전자능대.계산결과표명:Si적정격상수위0.540 nm,여실험삼고치상문합;기개대관도위11.80 eV,도대관도위9.58 eV.해결과여기타학자용OPW방법소계산적결과상부합;개대여도대지간적금대관도위0.80 eV,진일보설명료Si시량호적반도체재료.
