材料保护
材料保護
재료보호
MATERIALS PROTECTION
2009年
9期
1-3
,共3页
铈转化膜%形成机理%铝阳极氧化%化学沉积%电沉积
鈰轉化膜%形成機理%鋁暘極氧化%化學沉積%電沉積
시전화막%형성궤리%려양겁양화%화학침적%전침적
为探讨铝阳极氧化沉积铈转化膜形成机理,分别用化学沉积和电沉积法在铝阳极氧化膜上制备了铈转化膜._用SEM和EDS表征了阳极氧化膜、化学沉积铈转化膜和阴极电沉积铈转化膜的形貌和组分,测试了膜层厚度和膜的耐腐蚀性.结果表明:平均孔径89 nm的铝阳极氧化膜经阴极电沉积、化学沉积铈后平均孔径分别减小为38 nm和32nm,2种沉积分别可得到含铈52.10%和20.39%的铈转化膜.2种铈转化膜的平均膜厚分别比铝阳极氧化膜的大1.96 μm和1.23 μm,极化电阻均是铝阳极氧化膜的近3倍.2种铈转化膜形成机理不同是造成它们性质不同的原因.
為探討鋁暘極氧化沉積鈰轉化膜形成機理,分彆用化學沉積和電沉積法在鋁暘極氧化膜上製備瞭鈰轉化膜._用SEM和EDS錶徵瞭暘極氧化膜、化學沉積鈰轉化膜和陰極電沉積鈰轉化膜的形貌和組分,測試瞭膜層厚度和膜的耐腐蝕性.結果錶明:平均孔徑89 nm的鋁暘極氧化膜經陰極電沉積、化學沉積鈰後平均孔徑分彆減小為38 nm和32nm,2種沉積分彆可得到含鈰52.10%和20.39%的鈰轉化膜.2種鈰轉化膜的平均膜厚分彆比鋁暘極氧化膜的大1.96 μm和1.23 μm,極化電阻均是鋁暘極氧化膜的近3倍.2種鈰轉化膜形成機理不同是造成它們性質不同的原因.
위탐토려양겁양화침적시전화막형성궤리,분별용화학침적화전침적법재려양겁양화막상제비료시전화막._용SEM화EDS표정료양겁양화막、화학침적시전화막화음겁전침적시전화막적형모화조분,측시료막층후도화막적내부식성.결과표명:평균공경89 nm적려양겁양화막경음겁전침적、화학침적시후평균공경분별감소위38 nm화32nm,2충침적분별가득도함시52.10%화20.39%적시전화막.2충시전화막적평균막후분별비려양겁양화막적대1.96 μm화1.23 μm,겁화전조균시려양겁양화막적근3배.2충시전화막형성궤리불동시조성타문성질불동적원인.
