微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2010年
5期
762-764
,共3页
6H-SiC%Na离子%MOS电容%C-V测试
6H-SiC%Na離子%MOS電容%C-V測試
6H-SiC%Na리자%MOS전용%C-V측시
半导体热氧化过程中,不可避免会沾污Na离子,造成MOS电容的C-V曲线平带电压漂移.在1200℃下热氧化,生成SiC/SiO2界面,进而制作MOS电容.采用高电压偏置,在高温度条件下作用于MOS电容;利用Keithley590 C-V分析仪,测量其C-V曲线.计算出氧化层Na离子密度为2.26×1012/cm2,高温负高压偏置不能完全恢复MOS电容的C-V特性,且高压偏置处理后的MOS电容在积累区的电容值减小,与Si材料MOS的情况不同.主要原因是SiC氧化层和界面质量较差,在高温和高压下弱键断裂、固定电荷重新分布.
半導體熱氧化過程中,不可避免會霑汙Na離子,造成MOS電容的C-V麯線平帶電壓漂移.在1200℃下熱氧化,生成SiC/SiO2界麵,進而製作MOS電容.採用高電壓偏置,在高溫度條件下作用于MOS電容;利用Keithley590 C-V分析儀,測量其C-V麯線.計算齣氧化層Na離子密度為2.26×1012/cm2,高溫負高壓偏置不能完全恢複MOS電容的C-V特性,且高壓偏置處理後的MOS電容在積纍區的電容值減小,與Si材料MOS的情況不同.主要原因是SiC氧化層和界麵質量較差,在高溫和高壓下弱鍵斷裂、固定電荷重新分佈.
반도체열양화과정중,불가피면회첨오Na리자,조성MOS전용적C-V곡선평대전압표이.재1200℃하열양화,생성SiC/SiO2계면,진이제작MOS전용.채용고전압편치,재고온도조건하작용우MOS전용;이용Keithley590 C-V분석의,측량기C-V곡선.계산출양화층Na리자밀도위2.26×1012/cm2,고온부고압편치불능완전회복MOS전용적C-V특성,차고압편치처리후적MOS전용재적루구적전용치감소,여Si재료MOS적정황불동.주요원인시SiC양화층화계면질량교차,재고온화고압하약건단렬、고정전하중신분포.
