CAJ | 학술논문

利用羟基磷灰石(HAp)和Nation将CdTe/CdS量子点(QDs)修饰到玻碳电极表面,研究了固定在复合膜内的CdTe/CdS量子点的电化学发光行为.相比水溶液中的量子点在裸电极上的电化学发光,CdTe/CdS修饰到复合膜内后的电化学发光更加稳定,且发光强度增加数十倍.在pH为6.5的磷酸盐缓冲溶液(PBS)中,以三丙胺(TPrA)为共反应物,基于肌红蛋白(Mb)能有效地猝灭量子点的电化学发光(ECL)强度,建立了一种灵敏度较高的检测Mb的新方法,同时我们探讨了Mb猝灭QDs电化学发光的可能机理.实验结果表明,Mb浓度在0.59 nmoL/L～ 10.59 nmol/L范围内,分析信号lg(I0-I)/I与肌红蛋白浓度的对数lg[CMb]有良好的线性关系,检出限为0.12 nmol/L( S/N=3).
이용간기린회석(HAp)화Nation장CdTe/CdS양자점(QDs)수식도파탄전겁표면,연구료고정재복합막내적CdTe/CdS양자점적전화학발광행위.상비수용액중적양자점재라전겁상적전화학발광,CdTe/CdS수식도복합막내후적전화학발광경가은정,차발광강도증가수십배.재pH위6.5적린산염완충용액(PBS)중,이삼병알(TPrA)위공반응물,기우기홍단백(Mb)능유효지졸멸양자점적전화학발광(ECL)강도,건립료일충령민도교고적검측Mb적신방법,동시아문탐토료Mb졸멸QDs전화학발광적가능궤리.실험결과표명,Mb농도재0.59 nmoL/L～ 10.59 nmol/L범위내,분석신호lg(I0-I)/I여기홍단백농도적대수lg[CMb]유량호적선성관계,검출한위0.12 nmol/L( S/N=3).