强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2011年
11期
2855-2860
,共6页
朱占平%王弘刚%钱宝良%赵素波
硃佔平%王弘剛%錢寶良%趙素波
주점평%왕홍강%전보량%조소파
注入实验%非线性扰乱%反相器电路%闩锁%互补型金属氧化物半导体
註入實驗%非線性擾亂%反相器電路%閂鎖%互補型金屬氧化物半導體
주입실험%비선성우란%반상기전로%산쇄%호보형금속양화물반도체
采用理论分析和微波注入实验相结合的方法,分别研究了以74HC04和74LVCU04A两种芯片为核心的反相器基本缓冲及数模转换电路的微波效应问题,通过反相器闩锁过程对非线性扰乱进行了机理分析,并利用微波注入实验详细分析了非线性扰乱效应的微波有效功率阈值及其随频率、脉冲宽度的变化.实验结果表明:在固定环境温度条件下,有效注入功率大于33 dBm,频率在3 GHz以下的微波均可使74HC04效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上;有效注入功率大于30 dBm,频率在3 GHz以下的微波均可使74LVCU04A效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上.相同非线性扰乱强度的注入有效功率阈值近似随频率的提高而增大.非线性扰乱阈值随注入微波信号脉宽变化明显,拐点为40~70 ns不等,与反相器中的互补型金属氧化物半导体器件寄生三级管的导通电流积累有关.
採用理論分析和微波註入實驗相結閤的方法,分彆研究瞭以74HC04和74LVCU04A兩種芯片為覈心的反相器基本緩遲及數模轉換電路的微波效應問題,通過反相器閂鎖過程對非線性擾亂進行瞭機理分析,併利用微波註入實驗詳細分析瞭非線性擾亂效應的微波有效功率閾值及其隨頻率、脈遲寬度的變化.實驗結果錶明:在固定環境溫度條件下,有效註入功率大于33 dBm,頻率在3 GHz以下的微波均可使74HC04效應電路的非線性擾亂彊度達到10%以上;有效註入功率大于30 dBm,頻率在3 GHz以下的微波均可使74LVCU04A效應電路的非線性擾亂彊度達到10%以上.相同非線性擾亂彊度的註入有效功率閾值近似隨頻率的提高而增大.非線性擾亂閾值隨註入微波信號脈寬變化明顯,枴點為40~70 ns不等,與反相器中的互補型金屬氧化物半導體器件寄生三級管的導通電流積纍有關.
채용이론분석화미파주입실험상결합적방법,분별연구료이74HC04화74LVCU04A량충심편위핵심적반상기기본완충급수모전환전로적미파효응문제,통과반상기산쇄과정대비선성우란진행료궤리분석,병이용미파주입실험상세분석료비선성우란효응적미파유효공솔역치급기수빈솔、맥충관도적변화.실험결과표명:재고정배경온도조건하,유효주입공솔대우33 dBm,빈솔재3 GHz이하적미파균가사74HC04효응전로적비선성우란강도체도10%이상;유효주입공솔대우30 dBm,빈솔재3 GHz이하적미파균가사74LVCU04A효응전로적비선성우란강도체도10%이상.상동비선성우란강도적주입유효공솔역치근사수빈솔적제고이증대.비선성우란역치수주입미파신호맥관변화명현,괴점위40~70 ns불등,여반상기중적호보형금속양화물반도체기건기생삼급관적도통전류적루유관.