红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2012年
10期
2594-2599
,共6页
王元樟%朱文章%张小英%许英朝
王元樟%硃文章%張小英%許英朝
왕원장%주문장%장소영%허영조
HgCdTe%Si%异质结构%应变%应力分布
HgCdTe%Si%異質結構%應變%應力分佈
HgCdTe%Si%이질결구%응변%응력분포
计算了HgCdTe/CdTe/Si(211)异质结构的应变和应力分布,发现对于生长方向为不具有对称特性的[211]晶向,由于弹性模量的各向异性,平行表面的两个晶向方向[1-1-1]和[01-1]的应变和应力分布存在差异,并且二者的曲率半径也具有相应特性.对于Si衬底厚度为500 μm,CdTe缓冲层厚度为10 μm,HgCdTe层厚度为10μm的异质结构,液氮温度77 K时衬底与外延层的应变均为负值,外延层和衬底的最大应力值均在界面处,外延层中均为张应力,Si衬底在靠近界面处为压应力,远离界面逐渐过渡为张应力,存在一个应力为零的中性轴位置.
計算瞭HgCdTe/CdTe/Si(211)異質結構的應變和應力分佈,髮現對于生長方嚮為不具有對稱特性的[211]晶嚮,由于彈性模量的各嚮異性,平行錶麵的兩箇晶嚮方嚮[1-1-1]和[01-1]的應變和應力分佈存在差異,併且二者的麯率半徑也具有相應特性.對于Si襯底厚度為500 μm,CdTe緩遲層厚度為10 μm,HgCdTe層厚度為10μm的異質結構,液氮溫度77 K時襯底與外延層的應變均為負值,外延層和襯底的最大應力值均在界麵處,外延層中均為張應力,Si襯底在靠近界麵處為壓應力,遠離界麵逐漸過渡為張應力,存在一箇應力為零的中性軸位置.
계산료HgCdTe/CdTe/Si(211)이질결구적응변화응력분포,발현대우생장방향위불구유대칭특성적[211]정향,유우탄성모량적각향이성,평행표면적량개정향방향[1-1-1]화[01-1]적응변화응력분포존재차이,병차이자적곡솔반경야구유상응특성.대우Si츤저후도위500 μm,CdTe완충층후도위10 μm,HgCdTe층후도위10μm적이질결구,액담온도77 K시츤저여외연층적응변균위부치,외연층화츤저적최대응력치균재계면처,외연층중균위장응력,Si츤저재고근계면처위압응력,원리계면축점과도위장응력,존재일개응력위령적중성축위치.
