应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染
응용ICP-AES표정고제량양주입과정중적금속오염
Characterization of Metallic Impurity Contamination During High Dose Implantation of Oxygen into Silicon Using ICP-AES
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2003年 8期 813-816 ,共4页

    马芙蓉%李雪春%梁宏%吴虎才%李晓民%陈如意%罗晏%卢志恒

    마부용%리설춘%량굉%오호재%리효민%진여의%라안%로지항

    SOI材料%金属污染%感应耦合等离子体技术 SOI材料%金屬汙染%感應耦閤等離子體技術
    SOI재료%금속오염%감응우합등리자체기술
    研究了采用感应耦合等离子体-原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX-SOI材料过程中金属杂质污染的有效性.同时研究了采用强酸清洗、加SiO2膜覆盖等方法对降低污染程度的效果.利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样,检测结果是一种整体的平均效果.采用强流氧注入机进行高剂量氧注入,发现金属杂质污染元素主要是Al、Ar、Fe、Ni;注入后强酸清洗样品可有效降低Al污染;60nm厚的二氧化硅注入保护膜可阻挡一半的上述金属污染.
    연구료채용감응우합등리자체-원자발사광보기술표정고제량양주입단정규제비SIMOX-SOI재료과정중금속잡질오염적유효성.동시연구료채용강산청세、가SiO2막복개등방법대강저오염정도적효과.이용ICP기술가이대대면적혹정개규편진행채양,검측결과시일충정체적평균효과.채용강류양주입궤진행고제량양주입,발현금속잡질오염원소주요시Al、Ar、Fe、Ni;주입후강산청세양품가유효강저Al오염;60nm후적이양화규주입보호막가조당일반적상술금속오염.
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