高功率InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器的研制
고공솔InGaAs양자정수직강면발사격광기적연제
High-power InGaAs Quantum Wells Vertical-cavity Surface-emitting Laser
  • 万方数据
    光子学报 광자학보
    ACTA PHOTONICA SINICA
    2004年 9期 1029-1031 ,共3页

    晏长岭%宁永强%秦莉%张淑敏%赵路民%王青%刘云%初国强%王立军%姜会林

    안장령%저영강%진리%장숙민%조로민%왕청%류운%초국강%왕립군%강회림

    高功率半导体激光%垂直腔面发射激光器%氧化物限制工艺%量子阱%对称光束 高功率半導體激光%垂直腔麵髮射激光器%氧化物限製工藝%量子阱%對稱光束
    고공솔반도체격광%수직강면발사격광기%양화물한제공예%양자정%대칭광속
    采用AlAs氧化物限制工艺实验制备了衬底出光的高功率大出光窗口(直径为300 μm)InGaAs/GaAs量子阱垂直腔面发射半导体激光器,实现了器件室温准连续工作(脉冲宽度为50 μs,重复频率为1000 Hz),并对器件的伏安特性、光输出特性、发射光谱,以及器件的远场发射特性等进行了实验测试.器件阈值电流为 460 mA,器件的最大光输出功率为 100 mW,发射波长为 978.6 nm,光谱半功率全宽度为1.0 nm,远场发散角小于10°,垂直方向的发散角θ⊥为8°,水平方向的发散角θ∥为9°,基本为圆形对称光束.
    채용AlAs양화물한제공예실험제비료츤저출광적고공솔대출광창구(직경위300 μm)InGaAs/GaAs양자정수직강면발사반도체격광기,실현료기건실온준련속공작(맥충관도위50 μs,중복빈솔위1000 Hz),병대기건적복안특성、광수출특성、발사광보,이급기건적원장발사특성등진행료실험측시.기건역치전류위 460 mA,기건적최대광수출공솔위 100 mW,발사파장위 978.6 nm,광보반공솔전관도위1.0 nm,원장발산각소우10°,수직방향적발산각θ⊥위8°,수평방향적발산각θ∥위9°,기본위원형대칭광속.
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