半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2006年
5期
560-562
,共3页
李玉国%孙钦军%曹玉萍%王强%王建波%张秋霞
李玉國%孫欽軍%曹玉萍%王彊%王建波%張鞦霞
리옥국%손흠군%조옥평%왕강%왕건파%장추하
离子注入%电化学腐蚀%蓝光发射%发光中心
離子註入%電化學腐蝕%藍光髮射%髮光中心
리자주입%전화학부식%람광발사%발광중심
研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性.经能量为50 keV,剂量为2×1016 cm-2的碳离子注入后的外延单晶硅片,在氢气氛下高温退火及电化学腐蚀处理.荧光谱仪分析表明电化学腐蚀是蓝光发射的前提,并且不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大.不同的激发光波长亦可影响发光谱的峰位.
研究瞭註碳外延硅經氫氣退火及電化學腐蝕處理後的熒光特性.經能量為50 keV,劑量為2×1016 cm-2的碳離子註入後的外延單晶硅片,在氫氣氛下高溫退火及電化學腐蝕處理.熒光譜儀分析錶明電化學腐蝕是藍光髮射的前提,併且不同的電化學腐蝕條件對髮光彊度和峰位影響極大.不同的激髮光波長亦可影響髮光譜的峰位.
연구료주탄외연규경경기퇴화급전화학부식처리후적형광특성.경능량위50 keV,제량위2×1016 cm-2적탄리자주입후적외연단정규편,재경기분하고온퇴화급전화학부식처리.형광보의분석표명전화학부식시람광발사적전제,병차불동적전화학부식조건대발광강도화봉위영향겁대.불동적격발광파장역가영향발광보적봉위.
