物理学报
物理學報
물이학보
2006年
7期
3585-3589
,共5页
潘洪哲%徐明%祝文军%周海平
潘洪哲%徐明%祝文軍%週海平
반홍철%서명%축문군%주해평
β相氮化硅%电子结构%能带结构%光学性质
β相氮化硅%電子結構%能帶結構%光學性質
β상담화규%전자결구%능대결구%광학성질
采用基于密度泛函的平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了β相氮化硅(β-Si3N4)的电子结构和光学性质,得到的晶格常数、能带结构等均与实验结果较好符合.进一步还研究了β-Si3N4的光吸收系数以及禁带宽度随外压力的变化规律,为β-Si3N4材料在高压条件下的应用提供了理论参考.
採用基于密度汎函的平麵波贗勢方法(PWP)和廣義梯度近似(GGA),計算瞭β相氮化硅(β-Si3N4)的電子結構和光學性質,得到的晶格常數、能帶結構等均與實驗結果較好符閤.進一步還研究瞭β-Si3N4的光吸收繫數以及禁帶寬度隨外壓力的變化規律,為β-Si3N4材料在高壓條件下的應用提供瞭理論參攷.
채용기우밀도범함적평면파안세방법(PWP)화엄의제도근사(GGA),계산료β상담화규(β-Si3N4)적전자결구화광학성질,득도적정격상수、능대결구등균여실험결과교호부합.진일보환연구료β-Si3N4적광흡수계수이급금대관도수외압력적변화규률,위β-Si3N4재료재고압조건하적응용제공료이론삼고.
