电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2007年
4期
1133-1136
,共4页
郭天雷%赵发展%韩郑生%海潮和
郭天雷%趙髮展%韓鄭生%海潮和
곽천뢰%조발전%한정생%해조화
临界电荷%单粒子翻转%PDSOI%寄生三极管%SRAM
臨界電荷%單粒子翻轉%PDSOI%寄生三極管%SRAM
림계전하%단입자번전%PDSOI%기생삼겁관%SRAM
PDSOI CMOS SRAM单元的临界电荷(Critical Charge)是判断SRAM单元发生单粒子翻转效应的依据.利用针对1.2 μm抗辐照工艺提取的PDSOI MOSFET模型参数,通过HSPICE对SRAM 6T存储单元的临界电荷进行了模拟,指出了电源电压及SOI MOEFET寄生三极管静态增益β对存储单元临界电荷的影响,并提出了在对PDSOI CMOS SRAM进行单粒子辐照实验中,电源电压的最恶劣偏置状态应为电路的最高工作电压.
PDSOI CMOS SRAM單元的臨界電荷(Critical Charge)是判斷SRAM單元髮生單粒子翻轉效應的依據.利用針對1.2 μm抗輻照工藝提取的PDSOI MOSFET模型參數,通過HSPICE對SRAM 6T存儲單元的臨界電荷進行瞭模擬,指齣瞭電源電壓及SOI MOEFET寄生三極管靜態增益β對存儲單元臨界電荷的影響,併提齣瞭在對PDSOI CMOS SRAM進行單粒子輻照實驗中,電源電壓的最噁劣偏置狀態應為電路的最高工作電壓.
PDSOI CMOS SRAM단원적림계전하(Critical Charge)시판단SRAM단원발생단입자번전효응적의거.이용침대1.2 μm항복조공예제취적PDSOI MOSFET모형삼수,통과HSPICE대SRAM 6T존저단원적림계전하진행료모의,지출료전원전압급SOI MOEFET기생삼겁관정태증익β대존저단원림계전하적영향,병제출료재대PDSOI CMOS SRAM진행단입자복조실험중,전원전압적최악렬편치상태응위전로적최고공작전압.
