半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
2期
165-167,188
,共4页
杨子健%杨爱国%杨建红%冯浩%李冠斌%崔敬忠
楊子健%楊愛國%楊建紅%馮浩%李冠斌%崔敬忠
양자건%양애국%양건홍%풍호%리관빈%최경충
二氧化钒薄膜%磁控共溅射%掺杂%光电特性%能带
二氧化釩薄膜%磁控共濺射%摻雜%光電特性%能帶
이양화범박막%자공공천사%참잡%광전특성%능대
以石英片为基底,采用直流/射频磁控共溅射法制备了掺A、掺Ti的V02薄膜.对所制样品进行了电阻-温度关系、原子力显微镜、透射光谱等光电性能测试.结果分析表明,Al元素可以提高薄膜相变温度及Ti元素可以有效提高相变前后电阻率变化幅度,并且用半导体能带理论对VO2薄膜光电性质改变的原因及掺杂对其造成的影响予以解释,提出了影响相变滞豫的原因及改善方法.最后对磁控共溅射沉积方法制备掺杂薄膜的工艺方法提出了改进.
以石英片為基底,採用直流/射頻磁控共濺射法製備瞭摻A、摻Ti的V02薄膜.對所製樣品進行瞭電阻-溫度關繫、原子力顯微鏡、透射光譜等光電性能測試.結果分析錶明,Al元素可以提高薄膜相變溫度及Ti元素可以有效提高相變前後電阻率變化幅度,併且用半導體能帶理論對VO2薄膜光電性質改變的原因及摻雜對其造成的影響予以解釋,提齣瞭影響相變滯豫的原因及改善方法.最後對磁控共濺射沉積方法製備摻雜薄膜的工藝方法提齣瞭改進.
이석영편위기저,채용직류/사빈자공공천사법제비료참A、참Ti적V02박막.대소제양품진행료전조-온도관계、원자력현미경、투사광보등광전성능측시.결과분석표명,Al원소가이제고박막상변온도급Ti원소가이유효제고상변전후전조솔변화폭도,병차용반도체능대이론대VO2박막광전성질개변적원인급참잡대기조성적영향여이해석,제출료영향상변체예적원인급개선방법.최후대자공공천사침적방법제비참잡박막적공예방법제출료개진.
