半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
6期
569-572
,共4页
施海铭%汪辉%李化阳%林俊毅
施海銘%汪輝%李化暘%林俊毅
시해명%왕휘%리화양%림준의
Al-Cu互连%侧壁孔洞缺陷%θ相Al2Cu光刻胶清洗
Al-Cu互連%側壁孔洞缺陷%θ相Al2Cu光刻膠清洗
Al-Cu호련%측벽공동결함%θ상Al2Cu광각효청세
侧壁孔洞缺陷是当前Al-Cu金属互连导线工艺中的主要缺陷之一.此种缺陷会导致电迁移,从而降低器件的可靠性.缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺过程中,θ相Al2Cu在Al晶界聚集成大颗粒,并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原电池反应导致Al被腐蚀而在互连导线侧壁生成孔洞.通过对光刻胶去除工艺温度以及湿法清洗工艺中有机溶液的水含量控制可以抑制这种缺陷产生,从而减少电迁移,并且提高芯片的可靠性.
側壁孔洞缺陷是噹前Al-Cu金屬互連導線工藝中的主要缺陷之一.此種缺陷會導緻電遷移,從而降低器件的可靠性.缺陷的產生是由于在榦法等離子光刻膠去除工藝過程中,θ相Al2Cu在Al晶界聚集成大顆粒,併且在隨後的有機溶液濕法清洗過程中原電池反應導緻Al被腐蝕而在互連導線側壁生成孔洞.通過對光刻膠去除工藝溫度以及濕法清洗工藝中有機溶液的水含量控製可以抑製這種缺陷產生,從而減少電遷移,併且提高芯片的可靠性.
측벽공동결함시당전Al-Cu금속호련도선공예중적주요결함지일.차충결함회도치전천이,종이강저기건적가고성.결함적산생시유우재간법등리자광각효거제공예과정중,θ상Al2Cu재Al정계취집성대과립,병차재수후적유궤용액습법청세과정중원전지반응도치Al피부식이재호련도선측벽생성공동.통과대광각효거제공예온도이급습법청세공예중유궤용액적수함량공제가이억제저충결함산생,종이감소전천이,병차제고심편적가고성.
