电子工业专用设备
電子工業專用設備
전자공업전용설비
EQUIPMENT FOR ELECTRONIC PRODUCTS MANUFACTURING
2011年
11期
4-7
,共4页
碳化硅%固定磨料金刚线切割%表面粗糙度
碳化硅%固定磨料金剛線切割%錶麵粗糙度
탄화규%고정마료금강선절할%표면조조도
Silicon carbide%Fixed abrasive diamond wire saw%Surface roughness
碳化硅是新兴的第三代半导体材料。用固定磨料金刚线切割机对其进行切割加工，分析了加工过程的各项参数对晶片表面粗糙度的影响，为优化碳化硅金刚线切割过程提出依据。
碳化硅是新興的第三代半導體材料。用固定磨料金剛線切割機對其進行切割加工，分析瞭加工過程的各項參數對晶片錶麵粗糙度的影響，為優化碳化硅金剛線切割過程提齣依據。
탄화규시신흥적제삼대반도체재료。용고정마료금강선절할궤대기진행절할가공，분석료가공과정적각항삼수대정편표면조조도적영향，위우화탄화규금강선절할과정제출의거。
Silicon carbide is the tertiary semiconductor material. The SiC crystalbar is sliced into wafers by fixed abrasive Diamond wire saw in the experiment. The influences of each parameter on the surface roughness of the wafers are studied in the article. The process of slicing can be optimized by the result.
