SiGe HBT器件特征参数的数值模拟与分析
SiGe HBT기건특정삼수적수치모의여분석
Numerical Simulation and Analysis of SiGe HBT's Characteristic Parameters
  • 万方数据
    电子器件 전자기건
    JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
    2009年 3期 534-537 ,共4页

    王祖军%刘书焕%唐本奇%陈伟%黄绍艳%肖志刚%张勇%刘敏波

    왕조군%류서환%당본기%진위%황소염%초지강%장용%류민파

    SiGe HBT%电流增益%截止频率%掺杂浓度%数值模拟 SiGe HBT%電流增益%截止頻率%摻雜濃度%數值模擬
    SiGe HBT%전류증익%절지빈솔%참잡농도%수치모의
    分别在不同基极掺杂浓度、集电极掺杂浓度、发射极掺杂浓度和不同Ge组分含量的情况下,运用半导体器件模拟软件-MEDICI,对SiGe HBT器件的直流特性和频率特性进行了数值模拟,得出了SiGe HBT器件的集电极电流IC、基极电流IB、电流增益β和截止频率fT变化的初步规律.
    분별재불동기겁참잡농도、집전겁참잡농도、발사겁참잡농도화불동Ge조분함량적정황하,운용반도체기건모의연건-MEDICI,대SiGe HBT기건적직류특성화빈솔특성진행료수치모의,득출료SiGe HBT기건적집전겁전류IC、기겁전류IB、전류증익β화절지빈솔fT변화적초보규률.
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