P波段450W硅LDMOS脉冲功率器件的研制
P파단450W규LDMOS맥충공솔기건적연제
Research and Development of P Band 450 W Pulse Power Silicon LDMOS
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2011年 1期 60-64 ,共5页

    王佃利%李相光%严德圣%丁小明%刘洪军%钱伟%蒋幼泉%王因生

    왕전리%리상광%엄덕골%정소명%류홍군%전위%장유천%왕인생

    硅%横向双扩散金属氧化物场效应晶体管%脉冲%背面源%场板%硅化钴 硅%橫嚮雙擴散金屬氧化物場效應晶體管%脈遲%揹麵源%場闆%硅化鈷
    규%횡향쌍확산금속양화물장효응정체관%맥충%배면원%장판%규화고
    报道了P波段450 W硅LDMOS器件的研制结果.所研制器件采用沟槽技术实现背面源结构,采用场板技术提高击穿电压并降低栅漏电容,采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻.研制结果表明,在漏源工作电压36 V,脉宽20 ms,占空比35.7%的测试条件下,485～606 MHz全带内输出功率达到450 W,增益大于18 dB,效率大于60%.
    보도료P파단450 W규LDMOS기건적연제결과.소연제기건채용구조기술실현배면원결구,채용장판기술제고격천전압병강저책루전용,채용다정규금속규화물결구강저책조.연제결과표명,재루원공작전압36 V,맥관20 ms,점공비35.7%적측시조건하,485～606 MHz전대내수출공솔체도450 W,증익대우18 dB,효솔대우60%.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문