原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2010年
12期
1498-1504
,共7页
郭红霞%罗尹虹%姚志斌%张凤祁%张科营%何宝平%王园明
郭紅霞%囉尹虹%姚誌斌%張鳳祁%張科營%何寶平%王園明
곽홍하%라윤홍%요지빈%장봉기%장과영%하보평%왕완명
静态随机存储器%多位翻转%重离子加速器
靜態隨機存儲器%多位翻轉%重離子加速器
정태수궤존저기%다위번전%중리자가속기
利用中国原子能科学研究院重离子加速器,开展了不同特征尺寸(0.35～0.13μm)CMOS工艺、不同集成度(1M、4M、8M、16M)静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转(SEU)和单粒子闩锁(SEL)实验研究,给出了SRAM器件的SEU、SEL截面曲线.与μm级特征尺寸的器件相比,随特征尺寸的减小,单粒子翻转更加严重.测量到了令人关注的单粒子多位翻转(MBU)效应,对翻转位数进行了统计分析.MBU对目前卫星系统采用的EDAC技术提出了挑战.
利用中國原子能科學研究院重離子加速器,開展瞭不同特徵呎吋(0.35～0.13μm)CMOS工藝、不同集成度(1M、4M、8M、16M)靜態隨機存儲器(SRAM)單粒子翻轉(SEU)和單粒子閂鎖(SEL)實驗研究,給齣瞭SRAM器件的SEU、SEL截麵麯線.與μm級特徵呎吋的器件相比,隨特徵呎吋的減小,單粒子翻轉更加嚴重.測量到瞭令人關註的單粒子多位翻轉(MBU)效應,對翻轉位數進行瞭統計分析.MBU對目前衛星繫統採用的EDAC技術提齣瞭挑戰.
이용중국원자능과학연구원중리자가속기,개전료불동특정척촌(0.35～0.13μm)CMOS공예、불동집성도(1M、4M、8M、16M)정태수궤존저기(SRAM)단입자번전(SEU)화단입자산쇄(SEL)실험연구,급출료SRAM기건적SEU、SEL절면곡선.여μm급특정척촌적기건상비,수특정척촌적감소,단입자번전경가엄중.측량도료령인관주적단입자다위번전(MBU)효응,대번전위수진행료통계분석.MBU대목전위성계통채용적EDAC기술제출료도전.
