硅谷
硅穀
규곡
SILICON VALLEY
2010年
2期
1-2
,共2页
碳纳米管%掺杂%第一性原理%电子特性%能带结构
碳納米管%摻雜%第一性原理%電子特性%能帶結構
탄납미관%참잡%제일성원리%전자특성%능대결구
使用密度泛函原理分别对(8,8)型碳纳米管进行掺杂K原子的研究计算.结果表明,掺杂K原子后,碳纳米管有微小变形且与K原子之间出现电荷转移.碳纳米管的费米能级提高,且随着掺杂浓度的增大而增大,并与掺杂位置有关.同时,碳纳米管的禁带宽度减小,并与掺杂位置和掺杂浓度有关.
使用密度汎函原理分彆對(8,8)型碳納米管進行摻雜K原子的研究計算.結果錶明,摻雜K原子後,碳納米管有微小變形且與K原子之間齣現電荷轉移.碳納米管的費米能級提高,且隨著摻雜濃度的增大而增大,併與摻雜位置有關.同時,碳納米管的禁帶寬度減小,併與摻雜位置和摻雜濃度有關.
사용밀도범함원리분별대(8,8)형탄납미관진행참잡K원자적연구계산.결과표명,참잡K원자후,탄납미관유미소변형차여K원자지간출현전하전이.탄납미관적비미능급제고,차수착참잡농도적증대이증대,병여참잡위치유관.동시,탄납미관적금대관도감소,병여참잡위치화참잡농도유관.
