固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2010年
3期
396-401
,共6页
路守领%韩科锋%姜祁峰%王俊宇
路守領%韓科鋒%薑祁峰%王俊宇
로수령%한과봉%강기봉%왕준우
射频%低噪声放大器%无线传感网络%噪声系数%寄生电容
射頻%低譟聲放大器%無線傳感網絡%譟聲繫數%寄生電容
사빈%저조성방대기%무선전감망락%조성계수%기생전용
采用SMIC 0.13 μm RF CMOS工艺设计,并实现了应用于无线传感网络的2.4 GHz差分低功耗低噪声放大器.在低功耗约束下,电路采用差分共源共栅源极退化电感结构.考虑了ESD保护PAD和封装等寄生电容,分析了输入阻抗匹配、增益、噪声和线性度,提出了低功耗条件下输入阻抗匹配和噪声优化措施.芯片测试结果显示,噪声系数NF为2.5 dB,输出采用片外无源网络匹配下功率增益S21为9.4 dB,输入三阶交调点IIP3为-1.5 dBm.在1.2 V电源电压下消耗电流3.3 mA.芯片面积为860 μm×680 μm.
採用SMIC 0.13 μm RF CMOS工藝設計,併實現瞭應用于無線傳感網絡的2.4 GHz差分低功耗低譟聲放大器.在低功耗約束下,電路採用差分共源共柵源極退化電感結構.攷慮瞭ESD保護PAD和封裝等寄生電容,分析瞭輸入阻抗匹配、增益、譟聲和線性度,提齣瞭低功耗條件下輸入阻抗匹配和譟聲優化措施.芯片測試結果顯示,譟聲繫數NF為2.5 dB,輸齣採用片外無源網絡匹配下功率增益S21為9.4 dB,輸入三階交調點IIP3為-1.5 dBm.在1.2 V電源電壓下消耗電流3.3 mA.芯片麵積為860 μm×680 μm.
채용SMIC 0.13 μm RF CMOS공예설계,병실현료응용우무선전감망락적2.4 GHz차분저공모저조성방대기.재저공모약속하,전로채용차분공원공책원겁퇴화전감결구.고필료ESD보호PAD화봉장등기생전용,분석료수입조항필배、증익、조성화선성도,제출료저공모조건하수입조항필배화조성우화조시.심편측시결과현시,조성계수NF위2.5 dB,수출채용편외무원망락필배하공솔증익S21위9.4 dB,수입삼계교조점IIP3위-1.5 dBm.재1.2 V전원전압하소모전류3.3 mA.심편면적위860 μm×680 μm.
