半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
1期
1-5
,共5页
铝镓氯/氮化镓%异质结场效应管%二维电子气%自发极化%压电极化%电流崩塌%陷阱效应
鋁鎵氯/氮化鎵%異質結場效應管%二維電子氣%自髮極化%壓電極化%電流崩塌%陷阱效應
려가록/담화가%이질결장효응관%이유전자기%자발겁화%압전겁화%전류붕탑%함정효응
从不同的视角回顾和研究了A1GaN/GaN HFET的二维电子气(2DEG)和电流崩塌问题.阐述了非掺杂的AIGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力是极化效应,电子来源是AlGaN上的施主表面态.2DEG浓度与AlGaN/GaN界面导带不连续性、AlGaN层厚和Al组分有密切关系.揭示了AlGaN/GaN HFET的2DEG电荷涨落受控于表面、界面和缓冲层中的各种缺陷及外加应力,表面空穴陷阱形成的虚栅对输入信号有旁路和延迟作用,它们导致高频及微波状态下的电流崩塌.指出由于构成电流崩塌因素的复杂性,各种不同的抑制电流崩塌方法都存在不足,因此实现该器件大功率密度和高可靠性还有很长的路要走.
從不同的視角迴顧和研究瞭A1GaN/GaN HFET的二維電子氣(2DEG)和電流崩塌問題.闡述瞭非摻雜的AIGaN/GaN異質結界麵存在2DEG的原動力是極化效應,電子來源是AlGaN上的施主錶麵態.2DEG濃度與AlGaN/GaN界麵導帶不連續性、AlGaN層厚和Al組分有密切關繫.揭示瞭AlGaN/GaN HFET的2DEG電荷漲落受控于錶麵、界麵和緩遲層中的各種缺陷及外加應力,錶麵空穴陷阱形成的虛柵對輸入信號有徬路和延遲作用,它們導緻高頻及微波狀態下的電流崩塌.指齣由于構成電流崩塌因素的複雜性,各種不同的抑製電流崩塌方法都存在不足,因此實現該器件大功率密度和高可靠性還有很長的路要走.
종불동적시각회고화연구료A1GaN/GaN HFET적이유전자기(2DEG)화전류붕탑문제.천술료비참잡적AIGaN/GaN이질결계면존재2DEG적원동력시겁화효응,전자래원시AlGaN상적시주표면태.2DEG농도여AlGaN/GaN계면도대불련속성、AlGaN층후화Al조분유밀절관계.게시료AlGaN/GaN HFET적2DEG전하창락수공우표면、계면화완충층중적각충결함급외가응력,표면공혈함정형성적허책대수입신호유방로화연지작용,타문도치고빈급미파상태하적전류붕탑.지출유우구성전류붕탑인소적복잡성,각충불동적억제전류붕탑방법도존재불족,인차실현해기건대공솔밀도화고가고성환유흔장적로요주.
