半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
12期
1091-1094
,共4页
唐兴昌%肖清华%周旗钢%闫志瑞
唐興昌%肖清華%週旂鋼%閆誌瑞
당흥창%초청화%주기강%염지서
硅片%双面磨削%表面损伤%亚表面损伤
硅片%雙麵磨削%錶麵損傷%亞錶麵損傷
규편%쌍면마삭%표면손상%아표면손상
在直径300 mm Si片制备中,利用双面磨削技术能为后续加工提供高精度的表面,但Si片损伤层厚度较大.通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜对Si片表面及截面进行观察,得到了经不同粒径的砂轮磨削后的Si片的表面及截面形貌、Si片的表面及亚表面损伤层的厚度并进行了分析比较.结果表明,用粒度更小的3000#砂轮磨削,能够有效地降低Si片表面及亚表面损伤层的厚度,为优化300 mm单晶Si片双面磨削工艺、提高Si片表面磨削质量提供了清晰、量化的实验理论依据.
在直徑300 mm Si片製備中,利用雙麵磨削技術能為後續加工提供高精度的錶麵,但Si片損傷層厚度較大.通過掃描電子顯微鏡和透射電子顯微鏡對Si片錶麵及截麵進行觀察,得到瞭經不同粒徑的砂輪磨削後的Si片的錶麵及截麵形貌、Si片的錶麵及亞錶麵損傷層的厚度併進行瞭分析比較.結果錶明,用粒度更小的3000#砂輪磨削,能夠有效地降低Si片錶麵及亞錶麵損傷層的厚度,為優化300 mm單晶Si片雙麵磨削工藝、提高Si片錶麵磨削質量提供瞭清晰、量化的實驗理論依據.
재직경300 mm Si편제비중,이용쌍면마삭기술능위후속가공제공고정도적표면,단Si편손상층후도교대.통과소묘전자현미경화투사전자현미경대Si편표면급절면진행관찰,득도료경불동립경적사륜마삭후적Si편적표면급절면형모、Si편적표면급아표면손상층적후도병진행료분석비교.결과표명,용립도경소적3000#사륜마삭,능구유효지강저Si편표면급아표면손상층적후도,위우화300 mm단정Si편쌍면마삭공예、제고Si편표면마삭질량제공료청석、양화적실험이론의거.
