中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2008年
5期
75-79
,共5页
赵毅%江一杭%覃宝全%姜昱志%石维%李丽华%朱建国%ZHU Jian-guo
趙毅%江一杭%覃寶全%薑昱誌%石維%李麗華%硃建國%ZHU Jian-guo
조의%강일항%담보전%강욱지%석유%리려화%주건국%ZHU Jian-guo
居里温度%钙钛矿结构%压电陶瓷
居裏溫度%鈣鈦礦結構%壓電陶瓷
거리온도%개태광결구%압전도자
利用氧化物合成法制备了0.115BiGaO3(0.885-X)BiScO3-xPbTiO3(BGSPTx)(x=0.56-0.62)铁电陶瓷.x射线衍射分析(XRD)表明,当PbTi03含量(X)大于60%时,BGSPTx具有纯的钙钛矿结构.当x＜60%时,体系存在微量杂相.随着PbTiO,含量的增加,BGSPTx由三方相演变到四方相,三方一四方准同型相界位于x=0.58附近.在准同型相界附近,BGSPTx陶瓷的压电常数d33,机电耦合系数、剩余极化P,都达到最大值,分别为272pC/N,42%,24"C/cm..介电常数一温度特性曲线测试表明,BGSPTx陶瓷在MPB附近(x=0.58)居里温度Tc高达482℃C.实验结果表明,BGSPTx陶瓷是一种优良的高温压电换能器和传感器材料.
利用氧化物閤成法製備瞭0.115BiGaO3(0.885-X)BiScO3-xPbTiO3(BGSPTx)(x=0.56-0.62)鐵電陶瓷.x射線衍射分析(XRD)錶明,噹PbTi03含量(X)大于60%時,BGSPTx具有純的鈣鈦礦結構.噹x＜60%時,體繫存在微量雜相.隨著PbTiO,含量的增加,BGSPTx由三方相縯變到四方相,三方一四方準同型相界位于x=0.58附近.在準同型相界附近,BGSPTx陶瓷的壓電常數d33,機電耦閤繫數、剩餘極化P,都達到最大值,分彆為272pC/N,42%,24"C/cm..介電常數一溫度特性麯線測試錶明,BGSPTx陶瓷在MPB附近(x=0.58)居裏溫度Tc高達482℃C.實驗結果錶明,BGSPTx陶瓷是一種優良的高溫壓電換能器和傳感器材料.
이용양화물합성법제비료0.115BiGaO3(0.885-X)BiScO3-xPbTiO3(BGSPTx)(x=0.56-0.62)철전도자.x사선연사분석(XRD)표명,당PbTi03함량(X)대우60%시,BGSPTx구유순적개태광결구.당x＜60%시,체계존재미량잡상.수착PbTiO,함량적증가,BGSPTx유삼방상연변도사방상,삼방일사방준동형상계위우x=0.58부근.재준동형상계부근,BGSPTx도자적압전상수d33,궤전우합계수、잉여겁화P,도체도최대치,분별위272pC/N,42%,24"C/cm..개전상수일온도특성곡선측시표명,BGSPTx도자재MPB부근(x=0.58)거리온도Tc고체482℃C.실험결과표명,BGSPTx도자시일충우량적고온압전환능기화전감기재료.
