微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
5期
326-332
,共7页
微悬空结构释放%体硅工艺%三维掩膜%各向异性腐蚀%腐蚀模拟
微懸空結構釋放%體硅工藝%三維掩膜%各嚮異性腐蝕%腐蝕模擬
미현공결구석방%체규공예%삼유엄막%각향이성부식%부식모의
提出了一种新颖的基于三维掩膜的硅各向异性腐蚀工艺,即利用深反应离子刻蚀、湿法腐蚀等常规体硅刻蚀工艺和氧化、化学气相沉积(CVD)等薄膜工艺制作出具有三维结构的氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)薄膜,以该三维薄膜作为掩膜进行各向异性腐蚀,该工艺可以应用于MEMS微悬空结构的制作.利用该工艺成功地在单片n-Si(100)衬底上完成了一种十字梁结构的释放,并对腐蚀的过程和工艺参数进行了研究.
提齣瞭一種新穎的基于三維掩膜的硅各嚮異性腐蝕工藝,即利用深反應離子刻蝕、濕法腐蝕等常規體硅刻蝕工藝和氧化、化學氣相沉積(CVD)等薄膜工藝製作齣具有三維結構的氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)薄膜,以該三維薄膜作為掩膜進行各嚮異性腐蝕,該工藝可以應用于MEMS微懸空結構的製作.利用該工藝成功地在單片n-Si(100)襯底上完成瞭一種十字樑結構的釋放,併對腐蝕的過程和工藝參數進行瞭研究.
제출료일충신영적기우삼유엄막적규각향이성부식공예,즉이용심반응리자각식、습법부식등상규체규각식공예화양화、화학기상침적(CVD)등박막공예제작출구유삼유결구적양화규(SiO2)혹담화규(Si3N4)박막,이해삼유박막작위엄막진행각향이성부식,해공예가이응용우MEMS미현공결구적제작.이용해공예성공지재단편n-Si(100)츤저상완성료일충십자량결구적석방,병대부식적과정화공예삼수진행료연구.
