无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2008年
1期
195-198
,共4页
袁铮%桑文斌%钱永彪%刘洪涛%闵嘉华%滕建勇
袁錚%桑文斌%錢永彪%劉洪濤%閔嘉華%滕建勇
원쟁%상문빈%전영표%류홍도%민가화%등건용
核探测器%CdZnTe%In掺杂%电学性能
覈探測器%CdZnTe%In摻雜%電學性能
핵탐측기%CdZnTe%In참잡%전학성능
通过在富Te环境下生长In掺杂CdZnTe晶体,实验研究了不同掺In量对晶体电学性能的影响,重点讨论了不同掺In量与晶体电阻率、载流子浓度及迁移率之间的关系.并对CdZnTe晶体中In掺杂的补偿机理进行了分析探讨.结果表明,当In掺杂量为5×1017cm-3时,得到了电阻率达1.89×1010Ω·cm的高阻CdZnTe晶体.
通過在富Te環境下生長In摻雜CdZnTe晶體,實驗研究瞭不同摻In量對晶體電學性能的影響,重點討論瞭不同摻In量與晶體電阻率、載流子濃度及遷移率之間的關繫.併對CdZnTe晶體中In摻雜的補償機理進行瞭分析探討.結果錶明,噹In摻雜量為5×1017cm-3時,得到瞭電阻率達1.89×1010Ω·cm的高阻CdZnTe晶體.
통과재부Te배경하생장In참잡CdZnTe정체,실험연구료불동참In량대정체전학성능적영향,중점토론료불동참In량여정체전조솔、재류자농도급천이솔지간적관계.병대CdZnTe정체중In참잡적보상궤리진행료분석탐토.결과표명,당In참잡량위5×1017cm-3시,득도료전조솔체1.89×1010Ω·cm적고조CdZnTe정체.
