半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
225-229
,共5页
PVT法%SiC粉源%温度场%温度梯度
PVT法%SiC粉源%溫度場%溫度梯度
PVT법%SiC분원%온도장%온도제도
采用有限元分析法系统地研究了大尺寸6H-SiC晶体PVT法生长装置中感应加热线圈的不同高度和匝间距对生长腔、粉源以及生长晶体温度场的影响;分析比较了线圈取不同匝间距时晶体生长面径向温度梯度的变化.结果表明,在中频电源的输出功率和频率固定,盲孔内径不变的情况下,通过适当调整线圈匝间距和高度可以减小晶体生长面径向温度梯度,提高晶体的质量,同时又有比较高的生长率.
採用有限元分析法繫統地研究瞭大呎吋6H-SiC晶體PVT法生長裝置中感應加熱線圈的不同高度和匝間距對生長腔、粉源以及生長晶體溫度場的影響;分析比較瞭線圈取不同匝間距時晶體生長麵徑嚮溫度梯度的變化.結果錶明,在中頻電源的輸齣功率和頻率固定,盲孔內徑不變的情況下,通過適噹調整線圈匝間距和高度可以減小晶體生長麵徑嚮溫度梯度,提高晶體的質量,同時又有比較高的生長率.
채용유한원분석법계통지연구료대척촌6H-SiC정체PVT법생장장치중감응가열선권적불동고도화잡간거대생장강、분원이급생장정체온도장적영향;분석비교료선권취불동잡간거시정체생장면경향온도제도적변화.결과표명,재중빈전원적수출공솔화빈솔고정,맹공내경불변적정황하,통과괄당조정선권잡간거화고도가이감소정체생장면경향온도제도,제고정체적질량,동시우유비교고적생장솔.
