真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2007年
5期
44-47
,共4页
LaB6薄膜%真空烧结%电泳%热发射%逸出功
LaB6薄膜%真空燒結%電泳%熱髮射%逸齣功
LaB6박막%진공소결%전영%열발사%일출공
用阴极电泳的方法在Re衬底上制备了LaB6薄膜,用扫描电镜、X射线光电子能谱对样品的表面状况、化学组分进行了分析.经过真空烧结,采用真空热电子发射法测出了LaB6薄膜的逸出功.使用Richardson直线法测量薄膜的逸出功为2.56 eV,具有良好的电子发射性能.
用陰極電泳的方法在Re襯底上製備瞭LaB6薄膜,用掃描電鏡、X射線光電子能譜對樣品的錶麵狀況、化學組分進行瞭分析.經過真空燒結,採用真空熱電子髮射法測齣瞭LaB6薄膜的逸齣功.使用Richardson直線法測量薄膜的逸齣功為2.56 eV,具有良好的電子髮射性能.
용음겁전영적방법재Re츤저상제비료LaB6박막,용소묘전경、X사선광전자능보대양품적표면상황、화학조분진행료분석.경과진공소결,채용진공열전자발사법측출료LaB6박막적일출공.사용Richardson직선법측량박막적일출공위2.56 eV,구유량호적전자발사성능.
