半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
8期
685-688,706
,共5页
4H-SiC%Al掺杂%电离度%激发态
4H-SiC%Al摻雜%電離度%激髮態
4H-SiC%Al참잡%전리도%격발태
对Al掺杂4H-SiC中激发态对杂质电离的促进作用,与温度和掺杂浓度的关系进行了系统研究.发现促进作用随掺杂浓度的提高而增强,并且温度越高,随掺杂浓度的增加提高得越迅速;促进作用随温度的变化存在一峰值,并且随掺杂浓度的提高,峰值位置逐渐向温度高的方向移动.研究了激发态数目与杂质电离关系,发现当温度或掺杂浓度很低时(T＜200 K或NA＜1.0×1014 cm-3),无需考虑激发态对电离的影响;当温度很高时(＞800 K),只需考虑较少的激发态(一般3个即可),而在其他情况则需考虑的激发态多一些.
對Al摻雜4H-SiC中激髮態對雜質電離的促進作用,與溫度和摻雜濃度的關繫進行瞭繫統研究.髮現促進作用隨摻雜濃度的提高而增彊,併且溫度越高,隨摻雜濃度的增加提高得越迅速;促進作用隨溫度的變化存在一峰值,併且隨摻雜濃度的提高,峰值位置逐漸嚮溫度高的方嚮移動.研究瞭激髮態數目與雜質電離關繫,髮現噹溫度或摻雜濃度很低時(T＜200 K或NA＜1.0×1014 cm-3),無需攷慮激髮態對電離的影響;噹溫度很高時(＞800 K),隻需攷慮較少的激髮態(一般3箇即可),而在其他情況則需攷慮的激髮態多一些.
대Al참잡4H-SiC중격발태대잡질전리적촉진작용,여온도화참잡농도적관계진행료계통연구.발현촉진작용수참잡농도적제고이증강,병차온도월고,수참잡농도적증가제고득월신속;촉진작용수온도적변화존재일봉치,병차수참잡농도적제고,봉치위치축점향온도고적방향이동.연구료격발태수목여잡질전리관계,발현당온도혹참잡농도흔저시(T＜200 K혹NA＜1.0×1014 cm-3),무수고필격발태대전리적영향;당온도흔고시(＞800 K),지수고필교소적격발태(일반3개즉가),이재기타정황칙수고필적격발태다일사.
